[发明专利]一种硅太阳能电池的钝化方法

说明书

本发明涉及太阳能电池技术领域，具体提供一种硅太阳能电池的钝化方法。所述硅太阳能电池的钝化方法包括：提供硅太阳能电池切片，所述硅太阳能电池切片具有切割面，所述切割面具有表层和亚表层，所述切割面的亚表层位于所述切割面的表层内部；采用钝化溶液中对所述切割面进行钝化处理；进行所述钝化处理之后，对所述切割面进行光注入处理，所述光注入处理适于在所述切割面的表层和亚表层形成极性固定电荷，提高所述切割面的表层和亚表层的电势。该硅太阳能电池的钝化方法处理，使得硅太阳能电池切片具有更好的钝化效果和更良好的电性能。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种硅太阳能电池的钝化方法。

背景技术

HJT(HeteroJunction with intrinsic Thinfilm，异质结)太阳能电池是一种工艺流程简单、弱光响应好、对称化结构、可薄片化且双面率及转化率较高的硅基电池。基于此，在“双碳”战略背景下，异质结电池具有非常广阔的市场价值。异质结电池的制备通常需要经过清洗制绒、等离子体增强化学气相淀积PECVD、物理气相沉积PVD以及丝网印刷四个工艺环节。

在完成异质结电池的生产后，还需将其做成组件。为了减小电流损耗，组件通常采用半片封装。即异质结电池通常需要通过激光划片、裂片将整片异质结电池进行TLS(Thermal Laser Separation，热激光切割)分割，从而得到独立的HJT半片电池。在切半片的过程中，由于激光划片对异质结电池的钝化层以及膜层造成一定损伤，在电池边缘引入缺陷，形成复合中心，所以异质结电池经过激光划片后会有电性能上的损(也称切损)。在切割面的边缘复合严重，通常会给异质结电池带来0.3％以上的效率损失，造成组件效率进一步损失。

然而，现有的边缘钝化方法需要在高温条件下进行长时间沉积形成钝化层，高温条件会导致异质结电池的非晶硅薄膜的结构受到破坏，从而大幅度降低异质结电池的钝化效果。而钝化效果对异质结电池的效率产生极大的影响。事实上，不仅异质结电池，目前存在的其他类型的大部分太阳能电池都存在钝化效果对效率的影响。

可见，目前对太阳能电池的钝化方法亟需进行改进。

发明内容

因此，本发明要解决的技术问题在于克服现有太阳能电池的钝化方法的钝化效果较差的缺陷，进而提供一种硅太阳能电池的钝化方法。

本发明提供一种硅太阳能电池的钝化方法，包括：提供硅太阳能电池切片，所述硅太阳能电池切片具有切割面，所述切割面具有表层和亚表层，所述切割面的表层与所述切割面的亚表层相接，所述切割面的亚表层位于所述切割面的表层内侧；采用钝化溶液中对所述切割面进行钝化处理；进行所述钝化处理之后，对所述切割面进行光注入处理，所述光注入处理适于在所述切割面的表层和亚表层形成极性固定电荷，提高所述切割面的表层和亚表层的电势。

可选的，所述光注入处理的照明功率密度为30kW/m²-60kW/m²。

可选的，所述光注入处理的时间为20s-30s。

可选的，所述光注入处理的光源包括LED光源、激光光源。

可选的，所述钝化溶液为醌氢醌溶解于甲醇的溶液。

可选的，所述醌氢醌在甲醇溶液中的浓度为0.0005mol/L-0.005mol/L。

可选的，对所述切割面进行钝化处理之前，还包括：对所述切割面进行化学清洗处理。

可选的，所述化学清洗处理的清洗液为氟化氢溶液。

可选的，所述氟化氢溶液的质量浓度为5％-10％。

可选的，所述化学清洗处理的温度为10℃-30℃。

可选的，所述化学清洗处理的时间为5min-10min。