[发明专利]一种红外中波高发射率且长波低发射率复合薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种红外中波高发射率且长波低发射率复合薄膜的制备方法，其特征在于该制备方法具体是按以下步骤完成的：

一、基底的表面处理：

基底为硬质基底或柔性基底，当基底为硬质基底时，对基底进行清洗，再用氩气吹干；

二、膜层沉积前处理：

在常温或者加热的条件下对基底进行离子束轰击，得到离子束轰击的基底；

三、高反射层材料的选择：

选择金、银、铜、铝、钛或合金作为高反射层材料；

四、介质层材料的选择：

选择ZrO₂、SiO₂、Al₂O₃、Si₃N₄、HfO₂或Ge作为介质层材料；

五、红外辐射层材料的选择：

选择Ag、Cr、Zr、Ni或Cu作为红外辐射层材料；

六、保护层材料的选择：

选择Ge作为保护层材料；

七、沉积膜层：

采用真空镀膜法、磁控溅射法、电阻蒸镀法或电子束蒸镀法在离子束轰击的基底上依次沉积高反射层、介质层、红外辐射层和保护层，得到红外中波高发射率且长波低发射率复合薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种红外中波高发射率且长波低发射率复合薄膜的制备方法，其特征在于所述的硬质基底为石英玻璃、单抛硅片或铝板；所述的柔性基底为聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚二甲基硅氧烷、聚酰亚胺、铝箔或钛箔。

3.根据权利要求1所述的一种红外中波高发射率且长波低发射率复合薄膜的制备方法，其特征在于步骤一中依次使用丙酮、甲醇和超纯水对基底进行超声清洗，超声清洗的时间为20min～30min。

4.根据权利要求1所述的一种红外中波高发射率且长波低发射率复合薄膜的制备方法，其特征在于步骤二中离子束轰击采用氩离子，离子束电流为7A～20A，电压为120V，轰击的时间为5min～10min。

5.根据权利要求1所述的一种红外中波高发射率且长波低发射率复合薄膜的制备方法，其特征在于步骤二中所述的加热的温度为100℃～400℃。

6.根据权利要求1所述的一种红外中波高发射率且长波低发射率复合薄膜的制备方法，其特征在于步骤七中所述的高反射层的厚度为10nm～500nm。

7.根据权利要求1所述的一种红外中波高发射率且长波低发射率复合薄膜的制备方法，其特征在于步骤七中所述的介质层的厚度为10nm～600nm。

8.根据权利要求1所述的一种红外中波高发射率且长波低发射率复合薄膜的制备方法，其特征在于步骤七中所述的红外辐射层的厚度为5nm～100nm。

9.根据权利要求1所述的一种红外中波高发射率且长波低发射率复合薄膜的制备方法，其特征在于步骤七中所述的保护层的厚度为100nm～500nm。

10.根据权利要求1所述的一种红外中波高发射率且长波低发射率复合薄膜的制备方法，其特征在于所述的红外中波高发射率且长波低发射率复合薄膜具有在红外3～5μm范围内高发射率，在红外其它波段低发射率的特性。