[发明专利]一种红外中波高发射率且长波低发射率复合薄膜的制备方法

说明书

一种红外中波高发射率且长波低发射率复合薄膜的制备方法，它涉及一种薄膜的制备方法。本发明的目的是要解决现有红外调控技术方面存在红外发射率调节幅度不高，改变物质显示出的温度特定不明显和成本高的问题。方法：一、基底的表面处理；二、膜层沉积前处理；三、高反射层材料的选择；四、介质层材料的选择；五、红外辐射层材料的选择；六、保护层材料的选择；七、沉积膜层，得到红外中波高发射率且长波低发射率复合薄膜。本发明制备的一种红外中波高发射率且长波低发射率复合薄膜能够在低温下使用，薄膜红外波段发射率选择性能力基本与初始状态相同，该技术是一种低成本、安全、简单的薄膜制备技术。

技术领域

本发明涉及一种薄膜的制备方法。

背景技术

材料表面的发射率和发射能量代表了材料表面的温度，在红外探测中，红外探测仪可以通过检测发射能量来探测物质表面的温度。因此可通过改变物质表面的发射率特性改变物质显示出的温度特性。常见常温物质发射能量集中在红外长波波段，而较高温度的物质发射能量集中在红外中波波段。因此改变物质表面不同红外波段的发射率，可以改变物质显示出的温度特性。该技术对红外探测和显示具有重要意义。

目前，红外调控技术方面的研究还不够充分，红外发射率的调节幅度不够，能够改变物质显示出的温度特性不明显和器件的综合性能不能满足实际应用的需求等问题。

因此，亟待开发一种成本低廉、能够改变物质显示出温度特性的红外波段变发射率多层膜，以改善隐身器材与可变背景环境的兼容能力。

发明内容

本发明的目的是要解决现有红外调控技术方面存在红外发射率调节幅度不高，改变物质显示出的温度特定不明显和成本高的问题，而提供一种红外中波高发射率且长波低发射率复合薄膜的制备方法。

一种红外中波高发射率且长波低发射率复合薄膜的制备方法，具体是按以下步骤完成的：

一、基底的表面处理：

基底为硬质基底或柔性基底，当基底为硬质基底时，对基底进行清洗，再用氩气吹干；

二、膜层沉积前处理：

在常温或者加热的条件下对基底进行离子束轰击，得到离子束轰击的基底；

三、高反射层材料的选择：

选择金、银、铜、铝、钛或合金作为高反射层材料；

四、介质层材料的选择：

选择ZrO₂、SiO₂、Al₂O₃、Si₃N₄、HfO₂或Ge作为介质层材料；

五、红外辐射层材料的选择：

选择Ag、Cr、Zr、Ni或Cu作为红外辐射层材料；

六、保护层材料的选择：

选择Ge作为保护层材料；

七、沉积膜层：

采用真空镀膜法、磁控溅射法、电阻蒸镀法或电子束蒸镀法在离子束轰击的基底上依次沉积高反射层、介质层、红外辐射层和保护层，得到红外中波高发射率且长波低发射率复合薄膜。

本发明的原理及优点：