[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质在审

专利信息
申请号: 202210926048.X 申请日: 2022-08-03
公开(公告)号: CN115810557A 公开(公告)日: 2023-03-17
发明(设计)人: 板谷秀治;大桥直史;越卷寿朗;松井俊 申请(专利权)人: 株式会社国际电气
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 陈伟;沈静
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 处理 装置 半导体器件 制造 方法 以及 记录 介质
【说明书】:

本发明提供一种基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质,提供一种检测基板的载置面的状态的技术。基板处理装置具有:处理室,其对基板进行成膜处理;基板支承部,其设于所述处理室内,并且具有载置所述基板的多个载置面;以及检测部,其配置于所述处理室的外侧或内侧,以非接触的方式检测附着于所述载置面的成膜材料的状态。

技术领域

本公开涉及基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质。

背景技术

在使用于半导体制造领域的基板处理装置中,一边利用加热器的热对载置到载置面的基板进行加热,一边进行成膜处理(例如,参照专利文献1)。

可是,在基板的成膜处理工序中,有时成膜材料从基板的外周绕到背面而成膜材料附着于载置面。若成膜材料如此堆积于载置面上,则有可能在基板的成膜处理中产生不良情况。因此,通过定期维护去除堆积于载置面上的成膜材料。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2021-44419号公报

发明内容

本公开的目的在于提供一种检测基板的载置面的状态的技术。

根据本公开的一形态,提供一种基板处理装置,具有:处理室,其对基板进行成膜处理;基板支承部,其设于所述处理室内,并且具有载置所述基板的多个载置面;以及检测部,其配置于所述处理室的外侧或内侧,以非接触的方式检测附着于所述载置面的成膜材料的状态。

发明效果

根据本公开的一形态,能够检测基板的载置面的状态。

附图说明

图1是本公开的第1实施方式的基板处理装置所具备的反应器的横截面概略图。

图2是本公开的第1实施方式的基板处理装置所具备的反应器的纵截面概略图,且是图1所示的反应器的2X-2X线剖视图。

图3是说明本公开的第1实施方式的基板支承机构的说明图。

图4是图1的4X-4X线剖视图。

图5是说明本公开的第1实施方式的原料气体供给部的说明图。

图6是说明本公开的第1实施方式的反应气体供给部的说明图。

图7是说明本公开的第1实施方式的第1非活性气体供给部的说明图。

图8是说明本公开的第1实施方式的第2非活性气体供给部的说明图。

图9是说明本公开的第1实施方式的相机的移动机构的说明图。

图10是用于说明本公开的第1实施方式的相机的拍摄区域的说明图。

图11是说明本公开的第1实施方式的控制器的说明图。

图12是说明本公开的第1实施方式的基板处理工序的流程图。

图13是说明本公开的第1实施方式的检测工序的流程图。

图14是说明本公开的第1实施方式的维护工序的流程图。

附图标记说明

100:基板处理装置

201:处理室

209A:窗部

210:检测部

214:基板移载机(搬送部)

217:旋转台(基板支承部)

300:控制器(控制部)

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