[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质在审
申请号: | 202210926048.X | 申请日: | 2022-08-03 |
公开(公告)号: | CN115810557A | 公开(公告)日: | 2023-03-17 |
发明(设计)人: | 板谷秀治;大桥直史;越卷寿朗;松井俊 | 申请(专利权)人: | 株式会社国际电气 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟;沈静 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 半导体器件 制造 方法 以及 记录 介质 | ||
本发明提供一种基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质,提供一种检测基板的载置面的状态的技术。基板处理装置具有:处理室,其对基板进行成膜处理;基板支承部,其设于所述处理室内,并且具有载置所述基板的多个载置面;以及检测部,其配置于所述处理室的外侧或内侧,以非接触的方式检测附着于所述载置面的成膜材料的状态。
技术领域
本公开涉及基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质。
背景技术
在使用于半导体制造领域的基板处理装置中,一边利用加热器的热对载置到载置面的基板进行加热,一边进行成膜处理(例如,参照专利文献1)。
可是,在基板的成膜处理工序中,有时成膜材料从基板的外周绕到背面而成膜材料附着于载置面。若成膜材料如此堆积于载置面上,则有可能在基板的成膜处理中产生不良情况。因此,通过定期维护去除堆积于载置面上的成膜材料。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2021-44419号公报
发明内容
本公开的目的在于提供一种检测基板的载置面的状态的技术。
根据本公开的一形态,提供一种基板处理装置,具有:处理室,其对基板进行成膜处理;基板支承部,其设于所述处理室内,并且具有载置所述基板的多个载置面;以及检测部,其配置于所述处理室的外侧或内侧,以非接触的方式检测附着于所述载置面的成膜材料的状态。
发明效果
根据本公开的一形态,能够检测基板的载置面的状态。
附图说明
图1是本公开的第1实施方式的基板处理装置所具备的反应器的横截面概略图。
图2是本公开的第1实施方式的基板处理装置所具备的反应器的纵截面概略图,且是图1所示的反应器的2X-2X线剖视图。
图3是说明本公开的第1实施方式的基板支承机构的说明图。
图4是图1的4X-4X线剖视图。
图5是说明本公开的第1实施方式的原料气体供给部的说明图。
图6是说明本公开的第1实施方式的反应气体供给部的说明图。
图7是说明本公开的第1实施方式的第1非活性气体供给部的说明图。
图8是说明本公开的第1实施方式的第2非活性气体供给部的说明图。
图9是说明本公开的第1实施方式的相机的移动机构的说明图。
图10是用于说明本公开的第1实施方式的相机的拍摄区域的说明图。
图11是说明本公开的第1实施方式的控制器的说明图。
图12是说明本公开的第1实施方式的基板处理工序的流程图。
图13是说明本公开的第1实施方式的检测工序的流程图。
图14是说明本公开的第1实施方式的维护工序的流程图。
附图标记说明
100:基板处理装置
201:处理室
209A:窗部
210:检测部
214:基板移载机(搬送部)
217:旋转台(基板支承部)
300:控制器(控制部)
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造