[发明专利]垂直晶体管熔丝锁存器

说明书

本申请案涉及垂直晶体管熔丝锁存器。一种设备可包含衬底及与所述衬底耦合的存储器阵列。所述设备还可包含锁存器，其经配置以存储来自用于所述存储器阵列的熔丝的信息。所述锁存器可至少部分在与所述衬底分离且在所述衬底之上的额外衬底内。所述锁存器可包含一定数量的p型垂直晶体管及一定数量的n型垂直晶体管，其各自至少部分安置于所述衬底之上的所述额外衬底内。

交叉参考

本专利申请案主张由西姆塞克-埃格(Simsek-Ege)等人于2021年8月6日申请的标题为“垂直晶体管熔丝锁存器(VERTICAL TRANSISTOR FUSE LATCHES)”的第17/396,341号美国专利申请案的优先权，所述申请案转让给其受让人且其全部内容以引用方式明确并入本文中。

技术领域

技术领域涉及垂直晶体管熔丝锁存器。

背景技术

存储器装置广泛用于存储例如计算机、用户装置、无线通信装置、照相机、数字显示器及类似者的各种电子装置中的信息。信息通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储。举例来说，二进制存储器单元可编程为两个支持状态中的一者，通常由逻辑1或逻辑0表示。在一些实例中，单个存储器单元可支持两个以上状态，其中的任一者可被存储。为了存取存储信息，组件可读取或感测存储器装置中的至少一个存储状态。为了存储信息，组件可将状态写入或编程于存储器装置中。

存在各种类型的存储器装置及存储器单元，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、静态RAM(SRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻性RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)、自选择存储器、硫族化物存储器技术及其它。存储器单元可为易失性或非易失性的。非易失性存储器(例如FeRAM)可长时间维持其存储的逻辑状态，即使缺少外部电源。易失性存储器装置(例如DRAM)会在与外部电源断开时丢失其存储的状态。

发明内容

描述一种设备。所述设备可包含：衬底；存储器阵列，其与所述衬底耦合；及锁存器，其经配置以存储来自用于所述存储器阵列的熔丝的信息，所述锁存器包括多个p型垂直晶体管及多个n型垂直晶体管，其各自至少部分安置于所述衬底之上的额外衬底内。

描述一种设备。所述设备可包含：存储器阵列，其与衬底耦合；熔丝，其用于所述存储器阵列；及锁存器，其至少部分在所述衬底之上的额外衬底内且经配置以存储来自所述熔丝的信息。所述锁存器可包含：第一p型垂直晶体管，其包括栅极端子及漏极端子；第一n型垂直晶体管，其包括与所述第一p型垂直晶体管的所述栅极端子耦合的栅极端子且包括与所述第一p型垂直晶体管的所述漏极端子耦合的源极端子；第二p型垂直晶体管，其包括栅极端子及漏极端子；第二n型垂直晶体管，其包括与所述第二p型垂直晶体管的所述栅极端子耦合的栅极端子且包括与所述第二p型垂直晶体管的所述漏极端子耦合的源极端子。

描述一种设备。所述设备可包含：第一衬底；存储器阵列，其与所述第一衬底耦合且至少部分安置于所述第一衬底之上；锁存器的第一p型垂直晶体管，所述锁存器经配置以存储来自用于所述存储器阵列的熔丝的信息，所述第一p型垂直晶体管至少部分在所述第一衬底之上的第二衬底内；及所述锁存器的第一n型垂直晶体管，所述第一n型垂直晶体管至少部分在所述第一衬底之上的所述第二衬底内。

附图说明

图1说明根据本文中公开的实例的支持垂直晶体管熔丝锁存器的存储器装置的实例。

图2说明根据本文中公开的实例的支持垂直晶体管熔丝锁存器的存储器装置的实例。

图3说明根据本文中公开的实例的锁存器的实例。

图4说明根据本文中公开的实例的锁存器的实例。

图5说明根据本文中公开的实例的支持垂直晶体管熔丝锁存器的装置的实例。