[发明专利]用于晶圆加工的刻蚀设备及刻蚀方法在审
申请号: | 202210936223.3 | 申请日: | 2022-08-05 |
公开(公告)号: | CN115188692A | 公开(公告)日: | 2022-10-14 |
发明(设计)人: | 朱焱均;燕强;赵大国;王尧林;刘康华;李雨庭 | 申请(专利权)人: | 乂易半导体科技(无锡)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/306 |
代理公司: | 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 11471 | 代理人: | 牛晓 |
地址: | 214000 江苏省无锡市新吴区新华*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 加工 刻蚀 设备 方法 | ||
本发明涉及晶圆加工设备技术领域,涉及一种用于晶圆加工的刻蚀设备及刻蚀方法。刻蚀设备包括喷涂装置、储液装置和控制装置;喷涂装置用于朝向晶圆喷涂或回收蚀刻液;储液件用于储存蚀刻液,并通过浓度传感器获取储液件内蚀刻液的浓度信号。使用本实施例的刻蚀设备时,通过设置的喷涂装置可以将蚀刻液喷涂至晶圆上,或将晶圆上的蚀刻液回收至储液装置中,通过设置在储液件内的浓度传感器对储液件内的蚀刻液的浓度进行实时监测,控制装置可以根据预设程序对刻蚀设备的刻蚀时间进行调整,以提高不同批次之间晶圆的刻蚀均匀度,从而提高加工质量。
技术领域
本发明涉及晶圆加工设备技术领域,尤其涉及一种用于晶圆加工的刻蚀设备及刻蚀方法。
背景技术
现有单片刻蚀系统在使用过程中,蚀刻液的回收流程为:在刻蚀结束后利用离心力将蚀刻液的残液甩出,然后再送入回收设备,而回收的蚀刻液一般是直接用于下一批的刻蚀,刻蚀时间不会被调节,因为蚀刻液的浓度会随刻蚀处理而变化,因此,采用固定的刻蚀时间,会造成各批次的晶圆间的刻蚀均匀度下降,从而降低生产品质。
因此,有必要针对上述问题进行改进,以改变现状。
发明内容
本发明提供一种用于晶圆加工的刻蚀设备及刻蚀方法,用于解决现有刻蚀系统中,采用固定刻蚀时间将蚀刻液应用于之后批次的晶圆进行刻蚀时,刻蚀均匀度降低的问题。
本发明提出一种用于晶圆加工的刻蚀设备,包括:
喷涂装置,用于朝向晶圆喷涂或回收蚀刻液;
储液装置,包括储液件和浓度传感器,所述储液件用于储存所述蚀刻液,且所述储液件通过管道连接于所述喷涂装置,所述浓度传感器用于获取所述储液件内所述蚀刻液的浓度信号;以及
控制装置,信号连接于所述喷涂装置和所述浓度传感器,所述控制装置根据所述浓度信号控制所述喷涂装置的吸收所述晶圆上的所述蚀刻液。
根据本发明的一个实施例,所述储液装置还包括输送泵,所述输送泵设于所述喷涂装置和所述储液件之间,且所述输送泵用于驱使所述喷涂装置吸收所述晶圆上的所述蚀刻液,所述输送泵信号连接于所述控制装置。
根据本发明的一个实施例,所述喷涂装置设有喷涂孔和回流孔,所述储液装置还包括分别信号连接于所述控制装置的出液控制阀和回流控制阀,所述出液控制阀分别连接于所述储液件和所述喷涂孔,所述回流控制阀分别连接于所述储液件和所述回流孔。
根据本发明的一个实施例,所述喷涂装置包括喷涂件,所述喷涂孔和所述回流孔均设于所述喷涂件上,且所述喷涂孔设于所述喷涂件的中心位置,所述回流孔设于所述喷涂孔的外侧,所述晶圆在所述喷涂件上的正投影覆盖所述喷涂孔和所述回流孔。
根据本发明的一个实施例,所述刻蚀设备还包括承载台,所述承载台用于承载所述晶圆,所述喷涂件与所述承载台间隔设置,且所述喷涂孔和所述回流孔均朝向所述晶圆设置,所述承载台与所述喷涂孔同轴设置,且所述承载台与所述喷涂件相对转动设置。
根据本发明的一个实施例,所述喷涂装置还包括提升机构,所述提升机构连接于所述喷涂件并用于驱动所述喷涂件朝靠近或远离所述承载台移动。
根据本发明的一个实施例,所述回流孔的数量为多个,且多个所述回流孔沿所述喷涂孔的圆周方向均匀设置。
根据本发明的一个实施例,所述储液装置还包括液位传感器,所述液位传感器设于所述储液件内并用于获取所述储液件内的液量信号,且所述液位传感器信号连接于所述控制装置。
根据本发明的一个实施例,所述液位传感器包括多个感应件,多个所述感应件沿竖直方向间隔设于所述储液件内。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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