[发明专利]低成本嵌入式集成电路管芯在审
| 申请号： | 202210938294.7 | 申请日： | 2022-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN115775790A | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | X·F·布龙;S·加内桑 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低成本 嵌入式 集成电路 管芯 | ||
1.一种微电子组件，包括：
支撑结构；
在所述支撑结构上方的中介层；
在所述中介层中的第一管芯，所述第一管芯包括穿衬底过孔(TSV)；以及
在所述中介层中的第二管芯，所述第二管芯没有TSV；
其中，在所述第一管芯的第一面上的管芯到封装支撑件(DTPS)互连场与在所述第二管芯的第一面上的DTPS互连场基本相同，所述DTPS互连场包括用于将所述第一管芯和所述第二管芯连接到所述支撑结构的多个DTPS互连；并且
其中，在所述第一管芯的第二面上的管芯到管芯(DTD)互连场与在所述第二管芯的第二面上的DTD互连场基本相同，所述DTD互连场包括多个DTD互连。
2.根据权利要求1所述的微电子组件，还包括在所述第二管芯的所述第一面上的模制物材料。
3.根据权利要求2所述的微电子组件，其中，所述第二管芯的所述DTPS互连结构延伸穿过所述模制物材料。
4.根据权利要求1所述的微电子组件，还包括在所述第二管芯的所述第二面上的模制物材料。
5.根据权利要求4所述的微电子组件，其中，所述第二管芯的所述DTD互连延伸穿过所述模制物材料。
6.根据权利要求1所述的微电子组件，还包括在所述第二管芯的所述第一面和所述第二面上的模制物材料。
7.根据权利要求6所述的微电子组件，其中，所述DTPS互连和所述DTD互连延伸穿过所述模制物材料。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的微电子组件，还包括第三管芯，其中，所述中介层在所述第三管芯与所述支撑结构之间。
9.根据权利要求8所述的微电子组件，其中，所述第二管芯的有源面通过所述DTD互连连接到所述第三管芯的有源面。
10.根据权利要求9所述的微电子组件，其中，所述第二管芯的与所述第二管芯的所述有源面相对的非有源面通过所述DTPS互连连接到所述支撑结构。
11.根据权利要求9-10中任一项所述的微电子组件，还包括在所述DTD互连上的焊料材料。
12.根据权利要求9-10中任一项所述的微电子组件，还包括在所述DTPS互连上的焊料材料。
13.根据权利要求8所述的微电子组件，其中，所述第二管芯的非有源面通过所述DTD互连连接到所述第三管芯的有源面。
14.根据权利要求13所述的微电子组件，其中，所述第二管芯的与所述第二管芯的所述非有源面相对的有源面通过所述DTPS互连连接到所述支撑结构。
15.根据权利要求13-14中任一项所述的微电子组件，还包括在所述DTD互连上的焊料材料。
16.根据权利要求13-14中任一项所述的微电子组件，还包括在所述DTPS互连上的焊料材料。
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