[发明专利]低成本嵌入式集成电路管芯

说明书

一种示例性微电子组件，包括：支撑结构；在支撑结构上方的中介层；在中介层中的第一管芯，第一管芯包括穿衬底过孔(TSV)；以及在中介层中的第二管芯，第二管芯没有TSV。在第一管芯的第一面上的管芯到封装支撑件(DTPS)互连场与在第二管芯的第一面上的DTPS互连场基本相同，DTPS互连场包括用于将第一管芯和第二管芯连接到支撑结构的多个DTPS互连。在第一管芯的第二面上的管芯到管芯(DTD)互连场与在第二管芯的第二面上的DTD互连场基本相同，DTD互连场包括多个DTD互连。本公开涉及低成本嵌入式集成电路管芯。

技术领域

本公开涉及集成电路(IC)设备和组件。更具体地，本公开涉及在此类设备和组件中使用的低成本嵌入式管芯。

背景技术

当不需要电连接，并且因此不需要焊点(solder joint)时，在没有用于将管芯连接到支撑表面的焊点的情况下，在封装工艺期间限制管芯的横向运动是有挑战性的。一种解决方案是对非TSV管芯(即，不包括穿衬底(例如，穿硅)过孔(TSV)的管芯，其中可以在一侧或两侧上形成到TSV的电连接)使用管芯附接膜(DAF)安装解决方案，同时利用基于晶圆级封装热压接合(TCB)技术的有源管芯的焊点。

附图说明

根据结合附图的以下具体实施方式，将容易理解实施例。为了便于描述，相同的附图标记表示相同的结构元件。在附图的各图中，通过示例而非限制的方式示出了各实施例。

图1是根据本公开的一些实施例的包括具有嵌入式TSV和非TSV管芯的基础复合体的示例性IC封装的示意性截面图。

图2是根据本公开的一些实施例的包括具有嵌入式TSV和非TSV管芯的基础复合体的另一示例性IC封装的示意性截面图。

图3是根据本公开的一些实施例的包括具有嵌入式TSV和非TSV管芯的基础复合体的另一示例性IC封装的示意性截面图。

图4示出了根据本公开的一些实施例的被配置用于在顶部管芯最后(TDL，top dielast)封装组装工艺中进行正面到正面(F2F，front-to-front)连接的示例性非TSV管芯的各种实施例的示意性截面图。

图5示出了根据本公开的一些实施例的被配置用于在TDL封装组装工艺中进行正面到背面(F2B，front-to-back)连接的示例性非TSV管芯的各种实施例的示意性截面图。

图6示出了根据本公开的一些实施例的被配置用于在顶部管芯首先(TDF，top diefirst)封装组装工艺中进行F2F连接的示例性非TSV管芯的各种实施例的示意性截面图。

图7示出了根据本公开的一些实施例的被配置用于在TDF封装组装工艺中进行F2B连接的示例性非TSV管芯的各种实施例的示意性截面图。

图8A-8E是根据本公开的一些实施例的用于制造非TSV管芯的示例性工艺中的各个阶段的示意性截面图。

图9是根据本公开的一些实施例的可以包括一个或多个部件的设备封装的截面图。

图10是根据本公开的一些实施例的可以包括一个或多个部件的设备组件的截面侧视图。

图11是根据本公开的一些实施例的可以包括一个或多个部件的示例性计算设备的框图。

具体实施方式

概述

为了说明本文描述的实施例，理解在IC结构的封装期间可能起作用的现象是重要的。以下基本信息可以被视为可以适当地解释本公开的基础。提供这样的信息仅用于解释的目的，并且因此不应以任何方式解释为限制本公开及其潜在应用的广泛范围。