[发明专利]一种晶圆测试方法及系统在审
申请号: | 202210946885.9 | 申请日: | 2022-08-08 |
公开(公告)号: | CN115332098A | 公开(公告)日: | 2022-11-11 |
发明(设计)人: | 王帆;周鑫;席隆宇;南洲 | 申请(专利权)人: | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 刘芬芬 |
地址: | 710075 陕西省西安*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 测试 方法 系统 | ||
1.一种晶圆测试方法,其特征在于,包括:
基于设置参数控制待测晶圆与探针接触,以对所述待测晶圆进行测试;
获取测试参数;
对所述测试参数进行分析,判断所述待测晶圆的测试结果是否异常;
响应于是,调整所述设置参数,利用调整后的所述设置参数对其余待测晶圆进行测试。
2.根据权利要求1所述的晶圆测试方法,其特征在于,所述对所述测试参数进行分析,判断所述待测晶圆的测试结果是否异常的步骤,包括:
将所述测试参数与预设参数进行比对,根据比对结果判断所述待测晶圆的测试结果是否异常;
调整所述设置参数的步骤,包括:
分析异常原因,基于所述异常原因调整所述设置参数。
3.根据权利要求2所述的晶圆测试方法,其特征在于,所述将所述测试参数与预设参数进行比对,根据比对结果判断所述待测晶圆的测试结果是否异常的步骤,包括:
将所述测试参数与预设参数进行比对,判断所述测试参数是否位于所述预设参数范围内;
响应于所述测试参数位于所述预设参数范围内,利用第一标记对所述测试参数进行标记,以标识所述测试参数对应的测试项有效;
响应于所述测试参数未位于所述预设参数范围内,利用第二标记对所述测试参数进行标记,以标识所述测试参数对应的测试项无效。
4.根据权利要求3所述的晶圆测试方法,其特征在于,所述测试方法还包括:
基于所述第一标记和所述第二标记生成测试晶圆图,所述测试晶圆图表征所述待测晶圆的所有测试项的测试结果。
5.根据权利要求4所述的晶圆测试方法,其特征在于,所述分析异常原因,基于所述异常原因调整所述设置参数的步骤,包括:
获取与所述测试晶圆图匹配的异常类型,以输出所述测试参数的异常类型;
基于所述异常类型调整所述设置参数;其中所述异常类型包括产品相关问题、机台问题、针卡问题以及承载台问题。
6.根据权利要求5所述的晶圆测试方法,其特征在于,所述基于所述异常类型调整所述设置参数的步骤,包括:
判断所述异常类型是否为所述产品相关问题:
响应于是,中断所述待测晶圆的测试;
响应于否,调整所述设置参数,基于调整后的设置参数对所述待测晶圆重新测试。
7.根据权利要求3所述的晶圆测试方法,其特征在于,所述对所述测试参数进行分析,判断所述待测晶圆的测试结果是否异常的步骤,还包括:
对所述测试参数分类整理以得到多组测试数据;
判断多组所述测试数据是否存在标记有所述第二标记的测试参数;
响应于是,判断所述待测晶圆的测试结果异常。
8.根据权利要求7所述的晶圆测试方法,其特征在于,所述基于数据类型分类整理所述测试结果,得到多组测试数据,包括:
基于数据类型分类整理所述测试参数,得到多组初始测试数据;
基于所述第一标记和所述第二标记分类整理所述多组初始测试数据,得到所述多组测试数据。
9.一种晶圆测试系统,其特征在于,包括:
测试装置,用于基于设置参数控制待测晶圆与探针接触,对所述待测晶圆进行测试;
数据收集装置,连接所述测试装置,用于获取测试参数;
分析与判断装置,连接所述数据收集装置,用于对所述测试参数进行分析,判断所述待测晶圆的测试结果是否异常;
调整装置,连接所述分析与判断装置与所述测试装置,用于响应于所述分析与判断装置判断所述测试结果异常,调整所述设置参数,利用调整后的所述设置参数对其余待测晶圆进行测试。
10.根据权利要求9所述的晶圆测试系统,其特征在于,所述晶圆测试系统还包括:
数据存储装置,连接所述调整装置,用于存储所述设置参数和所述测试参数;
屏幕输出装置,连接所述分析与判断装置,用于基于所述测试参数生成测试晶圆图,输出所述测试晶圆图和与所述测试晶圆图匹配的异常类型;
邮件触发装置,连接所述分析与判断装置,用于整理所述分析与判断装置的判断结果以形成邮件,将所述邮件发送至相关测试人员的邮箱。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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