[发明专利]一种支持AHB协议的NorFlash存储控制器在审
申请号: | 202210947250.0 | 申请日: | 2022-08-09 |
公开(公告)号: | CN115292218A | 公开(公告)日: | 2022-11-04 |
发明(设计)人: | 王雄儒;赵鑫鑫;姜凯;李锐 | 申请(专利权)人: | 山东浪潮科学研究院有限公司 |
主分类号: | G06F13/16 | 分类号: | G06F13/16;G06F13/42 |
代理公司: | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人: | 刘德 |
地址: | 250101 山东省济南市*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 支持 ahb 协议 norflash 存储 控制器 | ||
一种支持AHB协议的NorFlash存储控制器,FPGA模块及NorFlash存储器,所述FPGA模块由AHB总线协议转换模块AHB_MUX、AHB从设备配置模块AHB_SLAVE、NorFlash存储器顶层控制模块AHB_FLASH_TOP、NorFlash存储器页写控制模块AHB_PAGE_WRITE、NorFlash存储器数据读取控制模块FLASH_READ及SPI驱动模块SPI_MASTER构成。该支持AHB协议的NorFlash存储控制器使用可靠性高,且完全兼容于当前主流嵌入式CPU的信息存储需求。
技术领域
本发明涉及数字逻辑电路领域,具体涉及一种支持AHB协议的NorFlash存储控制器。
背景技术
当前,随着现代微电子技术的高速发展,高速存储技术日渐成熟。由于NorFlash存储器具备灵活性高、体积小、性能高、功耗低、易于维护等优势,加之良好的非易失性,使其在近年来在国内外的工业控制、智能家电、可穿戴智能设备、移动终端等领域得到了广泛的应用。
AHB( Advanced High-performance Bus )总线规范是ARM公司AMBA总线规范的一部分,已被大多数SoC设计采用。AHB常用于高性能、高时钟频率的系统结构,典型的应用如ARM核与系统内部的高速RAM、NorFlash、DMA的连接。
传统的基于AHB总线的NorFlash存储控制器逻辑较为复杂,不具备高速读写能力,同时其容错功能较为低下,实践应用可靠性较低。
发明内容
本发明为了克服以上技术的不足,提供了一种使用可靠性高的支持AHB协议的NorFlash存储控制器。
本发明克服其技术问题所采用的技术方案是:
一种支持AHB协议的NorFlash存储控制器,包括:
FPGA模块及NorFlash存储器,所述FPGA模块由AHB总线协议转换模块AHB_MUX、AHB从设备配置模块AHB_SLAVE、NorFlash存储器顶层控制模块AHB_FLASH_TOP、NorFlash存储器页写控制模块AHB_PAGE_WRITE、NorFlash存储器数据读取控制模块FLASH_READ及SPI驱动模块SPI_MASTER构成;
CPU发送读写指令到AHB总线,AHB总线协议转换模块AHB_MUX将接收的CPU读写指令进行解析,获得读写地址和需要写入的数据,将解析的结果发送至NorFlash存储器顶层控制模块AHB_FLASH_TOP,HB从设备配置模块AHB_SLAVE根据AHB协议要求发送从设备配置信息至NorFlash存储器顶层控制模块AHB_FLASH_TOP;
NorFlash存储器顶层控制模块AHB_FLASH_TOP根据CPU指令,将读写请求、读写地址、页写数据分别发送至NorFlash存储器页写控制模块AHB_PAGE_WRITE及NorFlash存储器数据读取控制模块FLASH_READ;
NorFlash存储器页写控制模块AHB_PAGE_WRITE接收到写指令、写地址、写数据后,依序将写指令、写使能、写入地址以及写入数据流发送至SPI驱动模块SPI_MASTER,SPI驱动模块SPI_MASTER按照SPI协议生成NorFlash驱动时钟,并将从NorFlash存储器页写控制模块AHB_PAGE_WRITE接收到的写指令、写使能、写入地址以及写入数据流依照时序按低位到高位顺序发送至NorFlash数据线,由NorFlash存储器对信息进行存储;
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