[发明专利]改善干涉曝光的光刻对比度的方法及探测器在审
| 申请号： | 202210948101.6 | 申请日： | 2022-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN115524925A | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 赵成城;张轶;祁娇娇 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | G03F7/09 | 分类号： | G03F7/09;G03F7/095;G03F7/20;G03F7/34 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 杨源鑫 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 干涉 曝光 光刻 对比度 方法 探测器 | ||
1.一种改善干涉曝光的光刻对比度的方法，其特征在于，包括：
在衬底上表面涂覆底层胶；
在所述底层胶上表面涂覆顶层胶，所述顶层胶的感光灵敏度大于所述底层胶的感光灵敏度；
利用干涉曝光技术和显影技术一次处理涂覆有顶层胶的衬底，以在所述衬底上表面形成目标光刻胶图形。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述底层胶与所述顶层胶均为正胶。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述底层胶与所述顶层胶均为负胶。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述底层胶的厚度与所述顶层胶的厚度之比大于等于1。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述底层胶与所述顶层胶的厚度之和小于等于1μm。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标光刻胶图形为光栅图形或点阵图形。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在衬底上表面涂覆底层胶之后，对所述底层胶进行烘干处理；
在所述底层胶上表面涂覆顶层胶之后，对所述顶层胶进行烘干处理。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用干涉曝光技术和显影技术一次处理涂覆有顶层胶的衬底，包括：
利用双光束激光干涉处理涂覆有顶层胶的衬底。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述利用干涉曝光技术和显影技术一次处理涂覆有顶层胶的衬底，包括：
对单束激光进行分光得到两个相干光束，利用两个所述相干光束干涉处理涂覆有顶层胶的衬底。
10.一种探测器，其特征在于，所述探测器具备如权利要求1-9中任一项所述的改善干涉曝光的光刻对比度的方法制备的周期性结构。
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