[发明专利]改善干涉曝光的光刻对比度的方法及探测器

说明书

本发明公开了一种改善干涉曝光的光刻对比度的方法及探测器，所述改善干涉曝光的光刻对比度的方法包括：在衬底上表面涂覆底层胶；在底层胶上表面涂覆顶层胶，顶层胶的感光灵敏度大于底层胶的感光灵敏度；利用干涉曝光技术和显影技术一次处理涂覆有顶层胶的衬底，以在所述衬底上表面形成目标光刻胶图形。采用本发明的技术方案，在衬底上依次涂覆感光灵敏度低的底层胶与感光灵敏度高的顶层胶，使得曝光场强度小的位置少感光，曝光场强度大的位置多感光，增加了曝光的光刻对比度，减少了干涉曝光的不完全曝光区，使得干涉曝光形成的光刻图形侧壁更加陡直，提高了后续刻蚀步骤的工艺效果，提高了制备器件的质量。

技术领域

本发明涉及探测器技术领域，尤其涉及一种改善干涉曝光的光刻对比度的方法及探测器。

背景技术

红外焦平面探测技术因具有准确可靠、反应迅速、保密性强、抗电子干扰性强等优势，可广泛应用于气象观测、安防监控、工业监测、车辆夜视、自然资源调查以及太空天文观测等领域。随着探测需求的拓展，在红外焦平面探测器表面制备各种周期性结构以增强器件探测能力的技术被越来越多的采用，但这种周期性的表面结构需要达到很低的线宽或特征尺寸，以便获得最佳的光场调控能力。然而，能够制备这种低线宽图形的DUV(深紫外)曝光设备非常昂贵。

发明内容

本发明提供一种改善干涉曝光的光刻对比度的方法及探测器，用以实现低成本制备周期性表面结构。

本发明第一方面实施例提出一种改善干涉曝光的光刻对比度的方法，包括：

在衬底上表面涂覆底层胶；

在所述底层胶上表面涂覆顶层胶，所述顶层胶的感光灵敏度大于所述底层胶的感光灵敏度；

利用干涉曝光技术和显影技术一次处理涂覆有顶层胶的衬底，以在所述衬底上表面形成目标光刻胶图形。

根据本发明的一些实施例，所述底层胶与所述顶层胶均为正胶。

根据本发明的一些实施例，所述底层胶与所述顶层胶均为负胶。

根据本发明的一些实施例，所述底层胶的厚度与所述顶层胶的厚度之比大于等于1。

根据本发明的一些实施例，所述底层胶与所述顶层胶的厚度之和小于等于1μm。

根据本发明的一些实施例，所述目标光刻胶图形为光栅图形或点阵图形。

根据本发明的一些实施例，所述方法还包括：

在衬底上表面涂覆底层胶之后，对所述底层胶进行烘干处理；

在所述底层胶上表面涂覆顶层胶之后，对所述顶层胶进行烘干处理。

根据本发明的一些实施例，所述利用干涉曝光技术和显影技术一次处理涂覆有顶层胶的衬底，包括：

利用双光束激光干涉处理涂覆有顶层胶的衬底。

根据本发明的一些实施例，所述利用干涉曝光技术和显影技术一次处理涂覆有顶层胶的衬底，包括：

对单束激光进行分光得到两个相干光束，利用两个所述相干光束干涉处理涂覆有顶层胶的衬底。

本发明第二方面实施例提出一种探测器，所述探测器具备如第一方面实施例中任一项所述的改善干涉曝光的光刻对比度的方法制备周期性结构。

采用本发明实施例，在衬底上依次涂覆感光灵敏度低的底层胶与感光灵敏度高的顶层胶，使得曝光场强度小的位置少感光，曝光场强度大的位置多感光，增加了曝光的光刻对比度，进而使得干涉曝光形成的光刻图形侧壁更加陡直，提高了后续刻蚀或剥离步骤的工艺效果，提高了制备器件的质量。