[发明专利]垂直反相器及半导体器件

权利要求书

1.一种垂直反相器，其特征在于，包括：

绝缘衬底；

第一薄膜晶体管，设置于所述绝缘衬底上，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层，所述第一有源层包括第一沟道区和设置于所述第一沟道区相对两侧的N型掺杂区；

第二薄膜晶体管，设置于所述第一薄膜晶体管的背离所述绝缘衬底的一侧，所述第二薄膜晶体管包括第二有源层，所述第二有源层包括第二沟道区和设置于所述第二沟道区相对两侧的P型掺杂区，所述第二有源层中的一所述P型掺杂区电连接于所述第一有源层中对应的一所述N型掺杂区。

2.如权利要求1所述的垂直反相器，其特征在于，所述第一薄膜晶体管包括底层栅极，所述底层栅极设置于所述第一有源层与所述第二有源层之间，并且分别与所述第一沟道区和所述第二沟道区对位设置。

3.如权利要求2所述的垂直反相器，其特征在于，所述第二沟道区在一侧所述P型掺杂区指向另一侧所述P型掺杂区的方向上的长度，小于所述底层栅极在相同方向上的长度。

4.如权利要求1所述的垂直反相器，其特征在于，所述第二薄膜晶体管包括顶层栅极，所述顶层栅极设置于所述第二有源层的背离所述第一有源层的一侧，所述顶层栅极与所述第二沟道区对位设置。

5.如权利要求4所述的垂直反相器，其特征在于，所述第二沟道区在一侧所述P型掺杂区指向另一侧所述P型掺杂区的方向上的长度，小于所述顶层栅极在相同方向上的长度。

6.如权利要求1所述的垂直反相器，其特征在于，所述第二沟道区在一侧所述P型掺杂区指向另一侧所述P型掺杂区的方向上的长度，小于所述第一沟道区在相同方向上的长度。

7.如权利要求1所述的垂直反相器，其特征在于，所述P型掺杂区在一侧所述P型掺杂区指向另一侧所述P型掺杂区的方向上的长度，大于所述N型掺杂区在相同方向上的长度。

8.如权利要求1所述的垂直反相器，其特征在于，所述第二薄膜晶体管包括源极和漏极，所述源极和所述漏极的其中之一电连接于所述第二有源层中的一所述P型掺杂区和所述第一有源层中的一所述N型掺杂区。

9.如权利要求8所述的垂直反相器，其特征在于，所述垂直反相器包括第一绝缘层，所述第一绝缘层设置于所述第一有源层与所述第二有源层之间；

其中，所述第一薄膜晶体管包括至少一辅助电极，所述辅助电极设置于所述第一绝缘层与所述第二有源层之间，所述辅助电极穿过所述第一绝缘层，与对应的所述N型掺杂区接触。

10.如权利要求9所述的垂直反相器，其特征在于，所述垂直反相器还包括：

第二绝缘层，设置于所述辅助电极与所述第二有源层之间；

第三绝缘层，设置于所述第二有源层的背离所述第二绝缘层的一侧，所述源极和所述漏极设置于所述第三绝缘层的背离所述第二绝缘层的一侧；

其中，所述源极和所述漏极的其中之一依次穿过所述第三绝缘层、所述P型掺杂区和所述第二绝缘层，分别与所述P型掺杂区和所述辅助电极接触。

11.如权利要求9所述的垂直反相器，其特征在于，所述垂直反相器还包括：

第二绝缘层，设置于所述辅助电极与所述第二有源层之间；

第三绝缘层，设置于所述第二有源层的背离所述第二绝缘层的一侧，所述源极和所述漏极设置于所述第三绝缘层的背离所述第二绝缘层的一侧；

其中，所述源极和所述漏极的其中之一的一部分穿过所述第三绝缘层，与所述P型掺杂区接触，所述源极和所述漏极的其中之一的另一部分依次穿过所述第三绝缘层和所述第二绝缘层，与所述辅助电极接触。