[发明专利]半导体封装在审
申请号: | 202210954405.3 | 申请日: | 2022-08-10 |
公开(公告)号: | CN115706061A | 公开(公告)日: | 2023-02-17 |
发明(设计)人: | 姜奉圭;金龙河;张荣洙;金熙洙;朴光洙;朴准植 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/373;H01L23/31 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 | ||
1.一种半导体封装,包括:
封装板;
至少一个半导体芯片,设置在所述封装板上;
模制构件,设置在所述封装板上并至少部分地围绕所述至少一个半导体芯片;以及
散热构件,设置在所述至少一个半导体芯片和所述模制构件上并包括向外表面,所述向外表面包括第一区域和第二区域,多个不平坦结构设置在所述第一区域中,
其中所述多个不平坦结构中的每个在远离所述至少一个半导体芯片和所述模制构件的向外方向上突出到预定高度,并在第一方向和第二方向上与所述多个不平坦结构中的邻近结构间隔开,以及其中所述第一方向和所述第二方向的每个平行于所述封装板的上表面。
2.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述第一区域在所述第一方向和所述第二方向上的面积小于所述第二区域在所述第一方向和所述第二方向上的面积。
3.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述第二区域设置在所述散热构件的中心部分中,以及其中所述第一区域设置在所述散热构件的外侧部分中。
4.根据权利要求3所述的半导体封装,其中所述第一区域与所述散热构件的拐角相邻地设置。
5.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述多个不平坦结构包括四个不平坦结构。
6.根据权利要求5所述的半导体封装,其中,在所述多个不平坦结构当中,两个不平坦结构在所述第一方向上设置并且两个不平坦结构也在所述第二方向上设置。
7.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述多个不平坦结构由与所述散热构件的材料不同的材料形成。
8.根据权利要求1所述的半导体封装,还包括:
接合构件,设置在所述模制构件和所述散热构件之间。
9.根据权利要求1所述的半导体封装,其中形成于所述散热构件和在所述半导体封装外部的金属物体之间的电容的大小受所述多个不平坦结构影响。
10.根据权利要求9所述的半导体封装,其中,随着所述多个不平坦结构的所述预定高度增大,所述电容减小。
11.根据权利要求9所述的半导体封装,其中,随着包括所述多个不平坦结构的所述第一区域的面积减小,所述电容减小。
12.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述至少一个半导体芯片平行于所述封装板的上表面设置。
13.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述至少一个半导体芯片包括两个或更多个半导体芯片,所述两个或更多个半导体芯片在垂直于所述封装板的上表面的第三方向上堆叠。
14.一种半导体封装,包括:
封装板;
至少一个半导体芯片,设置在所述封装板上;以及
模制构件,设置在所述封装板上并至少部分地围绕所述至少一个半导体芯片,并且包括第一区域和第二区域,多个不平坦结构设置在所述第一区域中,所述第二区域通过所述多个不平坦结构与外部区域间隔开,
其中所述多个不平坦结构中的每个在远离所述半导体芯片的向外方向上突出到预定高度,并在第一方向和第二方向上与所述多个不平坦结构中的邻近结构间隔开,以及其中所述第一方向和所述第二方向的每个平行于所述封装板的上表面。
15.根据权利要求14所述的半导体封装,其中所述第一区域在所述第一方向和所述第二方向上的面积小于所述第二区域在所述第一方向和所述第二方向上的面积。
16.根据权利要求15所述的半导体封装,其中所述多个不平坦结构由与所述模制构件的材料不同的材料形成在所述模制构件上。
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