[发明专利]显示装置以及制造该显示装置的方法在审

专利信息
申请号: 202210954573.2 申请日: 2022-08-10
公开(公告)号: CN115707280A 公开(公告)日: 2023-02-17
发明(设计)人: 赵炫珉;金泰圣;赵晟原;吕伦钟 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: H10K59/12 分类号: H10K59/12;H10K59/121;H10K59/123;H10K59/124
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 梁洪源;康泉
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 显示装置 以及 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种显示装置,包括:

基板;

布置在所述基板之上的第一半导体层;

布置在所述第一半导体层上的第一绝缘层;

布置在所述第一绝缘层上的第二绝缘层;

布置在所述基板和所述第二绝缘层之间并且具有水溶性的第一氧化物材料层;以及

第一导电层,布置在所述第二绝缘层上并且通过限定在所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第一氧化物材料层中的第一接触孔电连接到所述第一半导体层。

2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一氧化物材料层布置在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间。

3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一氧化物材料层布置在所述第一半导体层和所述第一绝缘层之间。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的显示装置,其中,所述第一氧化物材料层包括选自钼氧化物和钨氧化物中的至少一种,

其中,所述第一氧化物材料层具有在至的范围内的厚度。

5.根据权利要求1所述的显示装置,进一步包括:

与所述第一半导体层绝缘的第一栅电极;以及

布置在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间的上电极,

其中,所述第一氧化物材料层直接布置在所述上电极上。

6.根据权利要求1所述的显示装置,进一步包括:

第二半导体层,布置在与所述第一半导体层布置在其中的层不同的层中,

其中,

所述第一半导体层包括氧化物半导体材料,并且

所述第二半导体层包括硅半导体材料,

其中,所述第二半导体层比所述第一半导体层更靠近所述基板布置。

7.根据权利要求6所述的显示装置,进一步包括:

布置在所述第二绝缘层上的第二导电层,

与所述第二半导体层绝缘的第二栅电极;以及

布置在所述第二栅电极上的第二氧化物材料层,

其中,所述第二导电层通过第二接触孔电连接到所述第二半导体层。

8.一种制造显示装置的方法,所述方法包括:

在基板上提供半导体层;

在所述半导体层上提供第一绝缘层;

在所述第一绝缘层上提供具有水溶性的氧化物材料层;

在所述氧化物材料层上提供第二绝缘层;

在所述第二绝缘层上提供光致抗蚀剂图案;

通过使用所述光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻所述第一绝缘层、所述氧化物材料层和所述第二绝缘层来形成接触孔;以及

剥离所述光致抗蚀剂图案。

9.根据权利要求8所述的方法,其中,

当所述光致抗蚀剂图案被剥离时,所述氧化物材料层的至少一部分被去除。

10.根据权利要求8至9中任一项所述的方法,其中,所述氧化物材料层包括选自钼氧化物和钨氧化物中的至少一种,

其中,所述氧化物材料层具有在至的范围内的厚度。

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