[发明专利]半导体装置

说明书

本发明实施例提出一种半导体装置，半导体装置具有厚度实质上一致的无晶面外延结构。半导体装置包括鳍状结构位于基板上。鳍状结构包括鳍状物底部与鳍状物顶部。鳍状物底部的上表面比鳍状物顶部的下表面宽。半导体装置还包括介电层位于鳍状物顶部上；非晶层位于介电层上；以及外延层。外延层位于非晶层的上表面、非晶层的侧壁表面、介电层、鳍状物顶部、与鳍状物底部的上表面之上。

技术领域

本发明实施例涉及半导体装置，尤其涉及厚度实质上一致的无晶面源极/漏极外延结构。

背景技术

随着半导体技术进展，对更高的储存能力、更快的处理系统、更高效能、与更低成本的需求也增加。为了符合这些需求，半导体产业持续缩小半导体装置(比如金属氧化物半导体场效晶体管，其含有平面金属氧化物半导体场效晶体管与鳍状场效晶体管)的尺寸。尺寸缩小亦增加半导体制造工艺的复杂度。

发明内容

在一些实施例中，半导体装置包括鳍状结构位于基板上。鳍状结构包括鳍状物底部与鳍状物顶部，且鳍状物底部的上表面比鳍状物顶部的下表面宽。半导体装置还包括介电层位于鳍状物顶部上；非晶层位于介电层上；以及外延层，位于非晶层的上表面、非晶层的侧壁表面、介电层、鳍状物顶部、与鳍状物底部的上表面之上。

在一些实施例中，半导体装置包括：鳍状结构位于基板上，以及隔离结构位于基板上并与鳍状结构相邻。鳍状结构包括鳍状物底部与鳍状物顶部。隔离结构的上表面与鳍状物底部的上表面共平面。半导体装置还包括介电层位于鳍状物顶部上；非晶层位于介电层上；以及外延层位于非晶层的上表面、非晶层的侧壁表面、介电层、鳍状物顶部、与鳍状物底部的上表面之上。

在一些实施例中，半导体装置的形成方法包括形成介电层于基板上；形成非晶层于介电层上；以及形成鳍状结构于基板上。介电层与非晶层位于鳍状结构上。方法还包括移除非晶层的一部分、介电层的一部分、与鳍状结构的一部分，以露出鳍状结构的底部的上表面。

附图说明

图1为一些实施例中，具有无晶面外延结构的半导体装置的等角图。

图2至图5为一些实施例中，具有无晶面外延结构的半导体装置的部分剖视图。

图6为一些实施例中，制作具有无晶面结构的半导体装置的方法的流程图。

图7至图12为一些实施例中，具有无晶面结构的半导体装置于多种制作阶段的剖视图。

图13为一些实施例中，制作具有无晶面结构的半导体装置的另一方法的流程图。

图14至图22为一些实施例中，具有无晶面结构的另一半导体装置于多种制作阶段的剖视图。

图23为一些实施例中，制作具有无晶面结构的半导体装置的又一方法的流程图。

图24至图29、图30A至图33A、图30B至图33B及图30C至图33C为一些实施例中，具有无晶面结构的又一半导体装置于多种制作阶段的剖视图。

附图标记如下：

A-A,B-B,C-C:剖线

100:半导体装置

102A,102B:鳍状场效晶体管

104:基板

105:介电层

105t,107t,108-1h,108-2h,108B-h,108B-1h,108B-1t,108h,420t,422t,1430h:垂直尺寸

106:浅沟槽隔离区

106s,108-1ts,108A-1ts,108B-1ts:上表面

107:非晶层