[发明专利]芯片封装体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种芯片封装体结构，包括：

一中介基底，包括一第一晶粒区及一第二晶粒区，借由一间隙区隔开；

一第一半导体晶粒及一第二半导体晶粒，分别设置于该第一晶粒区及该第二晶粒区上；

一第一间隙填充层及一第二间隙填充层，形成于该间隙区上，且彼此隔开；以及

一第三间隙填充层，形成于该间隙区上，且位于该第一间隙填充层与该第二间隙填充层之间，其中该第三间隙填充层的杨氏模数小于第一间隙填充层的杨氏模数及第二间隙填充层的杨氏模数。

2.如权利要求1所述的芯片封装体结构，其中该第三间隙填充层的热膨胀系数大于该第一间隙填充层的热膨胀系数及该第二间隙填充层的热膨胀系数。

3.如权利要求1所述的芯片封装体结构，其中该第一半导体晶粒及该第二半导体晶粒为系统级芯片晶粒或存储器晶粒。

4.如权利要求1所述的芯片封装体结构，其中位于该第一半导体晶粒与该第二半导体晶粒之间的该第三间隙填充层的面积大于位于该第一半导体晶粒与该第二半导体晶粒之间的该第一间隙填充层或该第二间隙填充层的面积。

5.如权利要求1所述的芯片封装体结构，其中该第一间隙填充层及该第二间隙填充层各自从上视角度来看具有T型轮廓。

6.一种芯片封装体结构，包括：

一有机中介基底；

多个半导体晶粒，排置于该有机中介基底上；

一封胶层，形成于该有机中介基底上，并环绕所述半导体晶粒；

一绝缘结构，形成于该有机中介基底上，使相邻的所述半导体晶粒彼此隔开，且包括：

一第一绝缘层，具有多个端部；以及

多个第二绝缘层，分别与该第一绝缘层的所述端部直接接触，且由

该封胶层所包围；

一封装基底，与该有机中介底层接合；以及

一第三绝缘层，形成于该封装基底与该有机中介基底之间，并环绕该有机中介基底。

7.如权利要求6所述的芯片封装体结构，其中该封胶层由模塑化合物材料制成，且其中该第一绝缘层、所述第二绝缘层以及该第三绝缘层由底胶材料制成。

8.如权利要求6所述的芯片封装体结构，其中所述半导体晶粒其中之一者为系统级芯片晶粒或存储器晶粒。

9.一种芯片封装体结构的形成方法，包括：

组装多个半导体晶粒于一中介基底的多个晶粒区上，其中相邻的所述晶粒区通过该中介基底的一间隙区而彼此隔开，且该间隙区具有多个端部；

形成多个第一底胶材料层于该中介基底上，并相邻于该间隙区的所述端部；

形成一第二底胶材料层于该中介基底上，并对应于该间隙区，其中该第二底胶材料层与所述第一底胶材料层直接接触，且其中该第二底胶材料层的杨氏模数小于所述第一底胶材料层的杨氏模数；以及

形成一封胶层于该中介基底上，以环绕所述半导体晶粒、所述第一底胶材料层及该第二底胶材料层。

10.如权利要求9所述的芯片封装体结构的形成方法，其中，所述第一底胶材料层的热膨胀系数小于该第二底胶材料层的热膨胀系数，且其中所述第一底胶材料层的总体积小于该第二底胶材料层的体积。