[发明专利]芯片封装体结构及其形成方法

说明书

提供一种芯片封装体结构及其形成方法。芯片封装体结构包括一中介基底，其包括由一间隙区所隔开的第一及第二晶粒区。芯片封装体结构也包括分别排置于第一及第二晶粒区上的第一及第二半导体晶粒。另外，芯片封装体结构包括第一及第二间隙填充层形成于间隙区上并彼此分开，以及一第三间隙填充层位于间隙区上及第一与第二间隙填充层之间。第三间隙填充层的杨氏模数小于第一间隙填充层的杨氏模数及第二间隙填充层的杨氏模数。

技术领域

本公开实施例是关于一种封装技术，且特别为关于一种芯片封装体结构及其形成方法。

背景技术

半导体装置及集成电路通常制造于单一的半导体晶圆上。晶圆的半导体晶粒可与其他半导体装置或晶粒于晶圆层级进行加工及封装，并且晶圆级封装已因此而发展了种种技术。

那些个别的半导体晶粒是经由沿着半导体晶圆的切割道分开集成电路而形成的。然后，个别的半导体晶粒分开进行封装。半导体封装体可进一步通过覆晶接合技术与电路基底连接。当这些半导体封装体组装至电路基底上，并使用底胶及/或模塑化合物进行保护时，保护层的可靠度变得非常重要及关键。

发明内容

在一些实施例中，一种芯片封装体结构包括：一中介基底，包括一第一晶粒区及一第二晶粒区，借由一间隙区隔开；一第一半导体晶粒及一第二半导体晶粒，分别设置于第一晶粒区及第二晶粒区上；一第一间隙填充层及一第二间隙填充层，形成于间隙区上，且彼此隔开；以及一第三间隙填充层，形成于间隙区上，且位于第一间隙填充层与第二间隙填充层之间，第三间隙填充层的杨氏模数小于第一间隙填充层的杨氏模数及第二间隙填充层的杨氏模数。

在一些实施例中，一种芯片封装体结构包括：一有机中介基底；多个半导体晶粒，排置于有机中介基底上；一封胶层，形成于有机中介基底上，并环绕半导体晶粒；一绝缘结构，形成于有机中介基底上，使相邻的半导体晶粒彼此隔开，绝缘结构包括具有多个端部的一第一绝缘层以及分别与第一绝缘层的端部直接接触的多个第二绝缘层，且第二绝缘层由封胶层所包围；一封装基底，与有机中介底层接合；以及一第三绝缘层，形成于封装基底与有机中介基底之间，并环绕有机中介基底。

在一些实施例中，一种芯片封装体结构的形成方法包括组装多个半导体晶粒于一中介基底的多个晶粒区上，相邻的晶粒区通过中介基底的一间隙区而彼此隔开，且间隙区具有多个端部；形成多个第一底胶材料层于中介基底上，并相邻于间隙区的端部；形成一第二底胶材料层于中介基底上，并对应于间隙区，第二底胶材料层与各个第一底胶材料层直接接触，第二底胶材料层的杨氏模数小于第一底胶材料层的杨氏模数；以及形成一封胶层于中介基底上，以环绕半导体晶粒、第一底胶材料层及第二底胶材料层。

附图说明

图1A-图1I绘示出根据一些实施例的用于形成芯片封装体结构的制程的各个阶段剖面示意图。

图2A-图2C绘示出根据一些实施例的图1A-图1I所示制程的中间阶段的平面示意图，其中图1D-图1F分别绘示出沿图2A-图2C中A-A’线的剖面示意图。

图3A-图3C分别绘示出根据一些实施例的沿图2A-图2C中B-B’线的剖面示意图。

图3A-1绘示出根据一些实施例的沿图2A中B-B’线的剖面示意图。

图3A-2绘示出根据一些实施例的沿图2A中B-B’线的剖面示意图。

图4绘示出根据一些实施例的芯片封装体结构中半导体晶粒排置的平面示意图。

图5绘示出根据一些实施例的芯片封装体结构中半导体晶粒排置的平面示意图。

图6绘示出根据一些实施例的芯片封装体结构中半导体晶粒排置的平面示意图。

图7绘示出根据一些实施例的芯片封装体结构中半导体晶粒排置的平面示意图。

图8绘示出根据一些实施例的芯片封装体结构中半导体晶粒排置的平面示意图。