[发明专利]组件管芯及其制造方法

权利要求书

1.一种组件管芯，包括：

第一半导体管芯；

第二半导体管芯，堆栈在所述第一半导体管芯上且与所述第一半导体管芯电性连接；

抗电弧层，与所述第二半导体管芯接触；以及

第一绝缘包封体，设置在所述第一半导体管芯上且侧向地包封所述第二半导体管芯。

2.如权利要求1所述的组件管芯，其中所述抗电弧层与所述第二半导体管芯的侧壁接触，且所述第二半导体管芯借由与所述抗电弧层与所述第一绝缘包封体分隔。

3.如权利要求1所述的组件管芯，其中所述抗电弧层包括：

第一部分，覆盖所述第二半导体管芯的侧壁，其中所述第二半导体管芯借由所述第一部分与所述第一绝缘包封体分隔；以及

第二部分，设置在所述第一半导体管芯与所述第一绝缘包封体之间，其中所述第一半导体管芯借由所述第二部分与所述第一绝缘包封体分隔。

4.如权利要求3所述的组件管芯，其中所述第一部分的顶端与所述第一绝缘包封体的顶面以及所述第二半导体管芯的背面实质上对齐。

5.如权利要求3所述的组件管芯，其中所述抗电弧层的所述第二部分包括内端以及与所述内端相对的外端，所述第二部分的所述内端连接到所述第一部分的底端，且所述第二部分的所述外端与所述第一绝缘包封体的侧壁实质上对齐。

6.如权利要求1所述的组件管芯，其中，进一步包括：第二绝缘包封体，侧向地包封所述第一半导体管芯，其中所述第二绝缘包封体的侧壁与所述第一绝缘包封体的侧壁实质上对齐。

7.一种组件管芯的制造方法，所述方法包括：

透过形成在顶层半导体管芯的正面上的第一接合结构以及形成在底层半导体管芯的背面上的第二接合结构，使所述顶层半导体管芯与所述底层半导体管芯接合；

形成抗电弧材料层，以覆盖所述顶层半导体管芯的侧壁、所述顶层半导体管芯的背面以及所述底层半导体管芯的所述背面；

在所述抗电弧材料层上形成绝缘材料；以及

部分去除所述绝缘材料以及所述抗电弧材料层，直到所述顶层半导体管芯的所述背面被显露出来，从而形成绝缘包封体与抗电弧层，其中所述绝缘包封体被形成在所述第一半导体管芯上并且侧向地包封所述第二半导体管芯，且所述抗电弧层被形成以覆盖所述顶层半导体管芯的所述侧壁以及所述底层半导体管芯的所述背面。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述抗电弧材料层是共形地沉积以覆盖所述顶层半导体管芯的所述侧壁、所述顶层半导体管芯的所述背面以及所述底层半导体管芯的所述背面。

9.一种组件管芯的制造方法，所述方法包括：

透过形成在顶层半导体管芯的正面上的第一接合结构以及形成在底层半导体管芯的背面上的第二接合结构将所述底层半导体管芯与所述顶层半导体管芯接合；

形成绝缘包封体以侧向地包封所述顶层半导体管芯；以及

形成抗电弧材料层以覆盖所述顶层半导体管芯以及所述绝缘包封体。

10.如权利要求9所述的方法，其中，进一步包括：

将所述抗电弧材料层与载体接合；

在所述底层半导体管芯的正面上形成导电端子；以及

在形成所述导电端子之后，使所述载体从所述抗电弧材料层剥离。