[发明专利]半导体装置的制造方法、工件一体化装置、薄膜层叠体和半导体装置在审

专利信息
申请号: 202210963971.0 申请日: 2022-08-11
公开(公告)号: CN115719727A 公开(公告)日: 2023-02-28
发明(设计)人: 伊关亮;秋月伸也 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683;H01L21/67;H01L21/56;H01L23/29;H01L23/31
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法 工件 一体化 薄膜 层叠
【权利要求书】:

1.一种半导体装置的制造方法,该半导体装置具有安装于工件的半导体元件被密封用树脂密封的构造,该半导体装置的制造方法的特征在于,

该半导体装置的制造方法具备:

工件载置过程,在该工件载置过程中,将所述工件载置于在支承体上层叠用于保持所述工件的保持薄膜而成的薄膜层叠体的所述保持薄膜所在侧;

元件安装过程,在该元件安装过程中,在被载置于所述薄膜层叠体的所述工件上安装所述半导体元件;

密封过程,在该密封过程中,利用所述密封用树脂将安装于所述工件的所述半导体元件密封;以及

脱离过程,在该脱离过程中,使所述工件和被所述密封用树脂密封的所述半导体元件脱离所述薄膜层叠体。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,

将在所述脱离过程中所述工件和所述半导体元件完成脱离后的所述薄膜层叠体重复使用于下次进行的所述工件载置过程中。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,

所述保持薄膜由包含有机硅或氟化合物的多孔体构成。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,

所述薄膜层叠体构成为在俯视时比所述工件小,

在所述工件载置过程中,所述工件以所述工件的外周部向所述薄膜层叠体的外侧突出的方式载置于所述薄膜层叠体。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,

所述工件载置过程具备:

配置过程,在该配置过程中,将所述工件和所述薄膜层叠体配置于具备上壳体和下壳体的腔室的内部空间;

减压过程,在该减压过程中,对所述腔室的内部空间进行减压;

加压过程,在该加压过程中,在所述腔室的内部空间被减压的状态下将所述工件向所述薄膜层叠体加压。

6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,

所述工件载置过程还具备分离过程,在该分离过程中,使配置于所述腔室的内部空间的所述工件和所述薄膜层叠体分离而在所述工件与所述薄膜层叠体之间形成间隙部,

在所述减压过程中,在通过所述分离过程而在所述工件与所述薄膜层叠体之间形成有所述间隙部的状态下对所述腔室的内部空间进行减压。

7.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,

所述密封过程具备:

树脂填充过程,在该树脂填充过程中,在将安装于所述工件的所述半导体元件配置于由上部模具和下部模具构成的密封用模具的内部空间的状态下,将所述密封用树脂以熔融的状态填充于所述内部空间;以及

树脂固化过程,在该树脂固化过程中,通过使所填充的所述密封用树脂固化来利用所述密封用树脂密封所述半导体元件,

在所述脱离过程中,使所述工件和被所述密封用树脂密封的所述半导体元件脱离所述薄膜层叠体,并且使所述上部模具脱离所述工件。

8.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,

所述密封过程具备:

树脂填充过程,在该树脂填充过程中,在将安装于所述工件的所述半导体元件配置于由上部模具和下部模具构成的密封用模具的内部空间的状态下,将所述密封用树脂以熔融的状态填充于所述内部空间;以及

树脂固化过程,在该树脂固化过程中,通过使所填充的所述密封用树脂固化来利用所述密封用树脂密封所述半导体元件,

所述脱离过程具备:

模具脱离过程,在该模具脱离过程中,使所述上部模具脱离所述工件;以及

层叠体脱离过程,在所述模具脱离过程之后,通过该层叠体脱离过程,使所述工件和被所述密封用树脂密封的所述半导体元件脱离所述薄膜层叠体。

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