[发明专利]半导体装置的制造方法、工件一体化装置、薄膜层叠体和半导体装置在审
申请号: | 202210963971.0 | 申请日: | 2022-08-11 |
公开(公告)号: | CN115719727A | 公开(公告)日: | 2023-02-28 |
发明(设计)人: | 伊关亮;秋月伸也 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67;H01L21/56;H01L23/29;H01L23/31 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 工件 一体化 薄膜 层叠 | ||
本发明提供半导体装置的制造方法、工件一体化装置、薄膜层叠体和半导体装置,在将半导体元件安装于基板来制造半导体装置时能在避免基板损伤的同时防止基板产生翘曲并能提高半导体装置的制造效率。具有安装于工件的半导体元件(7)被密封材料(9)密封的构造的半导体装置(11)的制造方法具备:工件载置过程,在该过程中,将工件载置于在承载件(1)上层叠用于保持工件的保持薄膜而成的薄膜层叠体的保持薄膜侧;元件安装过程,在该过程中,在被载置于薄膜层叠体的工件上安装半导体元件;密封过程,在该过程中,利用密封材料将安装于工件的半导体元件密封;以及脱离过程,在该过程中,使工件和被密封材料密封的半导体元件脱离薄膜层叠体。
技术领域
本发明涉及用于制造在以基板为例的工件上安装有半导体元件的半导体装置的半导体装置的制造方法、工件一体化装置、薄膜层叠体和半导体装置。
背景技术
作为将以使用了有机硅半导体的IC为例的半导体元件安装(连接)于基板的方法,采用了使基板的导体部分与半导体元件的电极位置对应并使两者连接的方法(作为一例,有倒装芯片接合法)。在该安装方法中,在多个半导体元件中的各半导体元件形成焊料凸块之后,经由焊料凸块使基板与多个半导体元件接触。
之后,通过使用回流炉等进行加热而使焊料熔融,半导体元件被安装于基板。然后,将安装在基板上的半导体元件用树脂覆盖并密封,由此制得半导体装置。作为将半导体元件密封的工序的一例,在将安装于基板上的半导体元件配置于模具的内部后,在模具内填充树脂,使该树脂加热熔融、固化,由此利用树脂密封半导体元件。
在制造这样的半导体装置的情况下,在使焊料加热熔融的工序或使树脂加热熔融、固化的工序中,容易出现因热而使基板变形从而使基板产生翘曲这样的问题。若在基板产生翘曲,则半导体元件与基板之间的尺寸会根据半导体元件的位置而不同,产生半导体元件与基板之间的接触不良。另外,若在基板产生翘曲的状态下进行树脂密封,则会因基板的变形等而引起基板位置精度变差,导致成形时的树脂泄漏等树脂密封不良。
以在半导体装置的制造过程中防止基板由热导致的翘曲为目的,以往提出了以下那样的方案。作为第一以往方法,可举出如下方法:在使半导体元件与基板接触后,以包围半导体元件的方式在基板上搭载翘曲矫正治具,利用翘曲矫正治具的自重将半导体元件周围的基板固定,由此防止基板翘曲(参照专利文献1)。
并且,在该专利文献1中,提出了如下方案:在基板之下载置磁体,使用不锈钢材作为翘曲矫正治具,由此利用在磁体与不锈钢制的治具之间产生的磁力来固定半导体元件周围的基板。
作为防止基板由热导致的翘曲的第二以往方法,提出了如下方法:在使半导体元件与基板接触之后,在利用夹紧爪夹持基板的左右两端而进行支承的状态下,向基板伸长的方向拉伸基板(参照专利文献2)。
专利文献1:日本特开2013-232582号公报
专利文献2:日本特开2017-087551号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而,在上述以往方法中存在如下问题。即,近年来,基板的薄型化急速推进。在以往的方法中,在防止基板的翘曲时,会对基板作用比较大的力。因此,若对薄型基板应用以往的方法,则担心薄型化的基板无法承受应力而导致基板产生裂纹、缺口或变形等损伤这样的问题。
另外,在以往的方法中,需要配设翘曲矫正治具并对基板施加压力再除去翘曲矫正治具这样的一系列的工序,或者需要利用夹紧件来把持基板并对基板施加拉伸力再解除夹紧件对基板的把持这样的一系列的工序。由于这一系列的工序需要时间,因此在以往的方法中还产生难以提高半导体装置的制造效率的问题。
本发明是鉴于这样的情况而完成的,其主要目的在于,提供如下的半导体装置的制造方法、工件一体化装置、薄膜层叠体和半导体装置,即,在将半导体元件安装于基板来制造半导体装置时,能够在避免基板损伤的同时防止基板产生翘曲,并且能够提高半导体装置的制造效率。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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