[发明专利]一种脊形波导制作方法

说明书

本发明涉及一种脊形波导制作方法，包括以下步骤：将晶片切割成特定尺寸的晶体；晶片为周期极化铌酸锂晶片；在晶体上切割出宽度为W，深度为H的波导；切割后的晶体包括波导和底座；将基底切割成特定尺寸，在基底上切割出宽度大于W，深度大于H的凹槽；胶合基底和晶体，得到脊形波导，胶合时，波导位于凹槽中；对底座进行抛光减薄，形成薄层；对脊形波导的端面进行抛光再镀膜。本发明通过一个凹槽保护脊形波导，然后反面抛光减薄，从而形成薄膜脊形波导。避免了离子注入建和带来的结构损伤等问题。

技术领域

本发明涉及一种脊形波导制作方法，属于光导元件技术领域。

背景技术

铌酸锂晶体因其卓越的光学性能，被认为最有前景的集成光子学基质材料之一。近年来，铌酸锂薄膜技术在集成光子学的研究中受到了极大的关注。常见的铌酸锂薄膜制作工艺是通过直接键合方法，该方法需要将离子注入到铌酸锂晶片上，这在一定程度上会破坏铌酸锂晶体的晶格结构，带来一些缺陷。

发明内容

为了克服上述问题，本发明提供一种脊形波导制作方法，该制作方法通过一个凹槽保护脊形波导，然后反面抛光减薄，从而形成薄膜脊形波导。

本发明的技术方案如下：

一种脊形波导制作方法，包括以下步骤：

将晶片切割成特定尺寸的晶体；所述晶片为周期极化铌酸锂晶片；

在所述晶体上切割出宽度为W，深度为H的波导；切割后的所述晶体包括波导和底座；

将基底切割成特定尺寸，在所述基底上切割出宽度大于W，深度大于H的凹槽；

胶合所述基底和所述晶体，得到脊形波导，胶合时，所述波导位于所述凹槽中；

对所述底座进行抛光减薄，形成薄层；

对所述脊形波导的端面进行抛光再镀膜。

进一步的，所述凹槽的宽度和深度比所述脊形波导的宽度W和深度H大1-200微米。

进一步的，胶合时，所述波导与所述凹槽处通过胶水进行胶合，且胶水的折射率低于周期极化铌酸锂晶体的折射率。

进一步的，胶合时，所述波导与所述凹槽处无胶水。

进一步的，所述基底的材料的热膨胀系数与周期极化铌酸锂晶体的热膨胀系数相同或相近。

进一步的，所述基底的材料为铌酸锂晶体。

进一步的，所述脊形波导的端面为斜面。

进一步的，所述脊形波导的端面倾角为5°-12°。

进一步的，所述周期极化铌酸锂晶体与所述基底的尺寸相同。

本发明具有如下有益效果：本发明通过一个凹槽保护脊形波导，然后反面抛光减薄，从而形成薄膜脊形波导。用以替代传统的离子注入键合工艺，避免了离子注入键合带来的结构损伤等问题。

附图说明

图1为本发明实施例的流程图。

图2为本发明实施例的脊形波导胶合前结构示意图。

图3为本发明实施例的脊形波导抛光减薄后结构示意图。

图4为本发明实施例的脊形波导侧视图。

图中附图标记表示为：

100、晶体；101、波导；102、底座；103、薄层；200、基座；201、凹槽；300、脊形波导。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例来对本发明进行详细的说明。

实施例一