[发明专利]用于实现精细间距管芯拼铺的玻璃核心向电子衬底中的集成

说明书

本文公开的实施例包括封装衬底。在实施例中，封装衬底包括具有第一表面和第二表面的核心，其中，所述核心包括玻璃。在实施例中，第一过孔穿过所述核心，其中，第一过孔包括导电材料，并且膜位于核心的第一表面之上，其中，膜是粘合剂。在实施例中，第二过孔穿过膜，其中，第二过孔包括导电材料，其中，第二过孔接触第一过孔。在实施例中，第二过孔的中心线与第一过孔的中心线对准。在实施例中，构建层位于膜之上。

技术领域

本公开的实施例涉及电子封装，并且更具体地涉及具有玻璃核心的电子封装。

背景技术

对外形因子的小型化以及用于实现高性能的提高的集成水平的需求一直在推动着半导体行业中的复杂封装方案的发展。管芯分割能够实现小外形因子的小型化和高性能，而不会产生其他方法所面临的问题。然而，这样的管芯分割需要精细的管芯对管芯互连。桥管芯架构是一种能够实现成本更低并且更简单的2.5D封装方案从而获得单个封装上的异构管芯之间的非常高密度的互连的技术。替代采用具有穿硅过孔(TSV)的昂贵硅内插器，将小的硅桥芯片嵌入到封装中，从而仅在需要的位置上实现非常高密度的管芯对管芯连接。使用标准倒装芯片组装实现鲁棒的电力输送，并且将高速信号直接从芯片连接至封装衬底。

对于未来各代的管芯分割而言，需要几个桥，这些桥能够按照比桥管芯当前提供的凸块间距精细得多的凸块间距(25微米或更小)连接管芯。典型的桥管芯架构受到高的累积凸块厚度变化(BTV)的困扰，并且随着要嵌入的桥的数量增大，嵌入的成本和成品率也将受到影响。替代的架构和/或方案已被提出并且正处于积极的研究当中。一种实现精细的管芯对管芯互连的选择是将薄玻璃核心并入衬底封装中。与常规的环氧树脂核心相比，玻璃核心将提供几个优点，包括更高的镀覆通孔(PTH)密度、更低的信号损耗、更低的总厚度变化(TTV)及其他。然而，在面板级(例如，510mm x 515mm)对薄玻璃核心(例如，大约400μm到500μm)进行操纵是一项重大挑战。因而，不需要为了薄核心玻璃操纵而重新调整现有衬底制造设施的用途的替代选择将带来资本开支的显著下降。

附图说明

图1A是根据实施例的具有玻璃核心和焊料第一级互连(FLI)的电子封装的截面图。

图1B是根据实施例的具有玻璃核心和混合接合LFI的电子封装的截面图。

图1C是根据实施例的具有玻璃核心和桥的电子封装的截面图。

图2A-2I是根据实施例的描绘用于制作与图1A中所示的电子封装类似的电子封装的工艺的截面图。

图3A-3K是根据实施例的描绘用于制作与图1B中所示的电子封装类似的电子封装的工艺的截面图。

图4A-4N是根据实施例的描绘用于制作与图1C中所示的电子封装类似的电子封装的工艺的截面图。

图5是根据实施例的具有电子封装的电子系统的截面图，该电子封装具有耦合至板的玻璃核心。

图6是根据实施例构建的计算装置的示意图。

具体实施方式

本文描述了根据各种实施例的具有玻璃核心的电子封装。在下文的描述当中，将使用本领域技术人员常用的术语描述例示性实施方式的各个方面，从而将其功用的实质传达给本领域技术人员。但是，对于本领域技术人员而言，显然可以仅利用所描述的方面中的一些方面来实践本发明。出于解释的目的，阐述了具体的数字、材料和构造，从而提供对例示性实施方式的透彻理解。但是，对本领域技术人员将显而易见的是，可以在无需这些具体细节的情况下实践本发明。在其他实例中，省略或简化了已知的特征，从而避免使这些例示性实施方式难以理解。

将按照对理解本发明最有帮助的方式将各项操作依次描述为多个分立的操作，但是不应将所述说明顺序解释为暗示这些操作必然是顺序相关的。具体而言，未必按照所给出的顺序执行这些操作。