[发明专利]等离子体处理装置及使用该装置的等离子体处理方法

说明书

本发明提供等离子体处理装置。所述装置包括：腔室，具有产生等离子体的处理空间；以及等离子体产生单元，用于将处理空间内的气体激发为等离子体状态，其中，等离子体产生单元包括：第一电源，提供用于产生等离子体的电力；线圈部，与第一电源连接；第一并联电容器，连接在线圈部的第一节点与接地电源之间；以及第二并联电容器，连接在线圈部的不同于第一节点的第二节点与接地电源之间。

技术领域

本发明涉及等离子体处理装置及使用该装置的等离子体处理方法。

背景技术

在制造半导体装置或显示装置时，可以使用利用等离子体的各种工艺(例如，蚀刻、灰化、离子注入、清洗等)。根据等离子体产生方式，利用等离子体的基板处理装置可以分为CCP(Capacitively Coupled Plasma，电容耦合等离子体)类型和ICP(InductivelyCoupled Plasma，电感耦合等离子体)类型。在CCP类型装置中，在腔室内以彼此面对的方式布置两个电极，并且通过对两个电极中的任一个或两个施加RF信号来在腔室内形成电场，从而生成等离子体。另一方面，在ICP类型装置中，在腔室内设置一个或多个线圈，并且通过对线圈施加RF信号来在腔室内感应出电磁场，从而生成等离子体。

发明内容

要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是提供将一个线圈型天线划分为多个区域，并通过与多个区域中的每个连接的并联电容器调节天线的电流，从而能够针对每个区域控制等离子体密度的等离子体处理装置。

本发明要解决的另一技术问题是提供将一个线圈型天线划分为多个区域，并通过与多个区域中的每个连接的并联电容器调节天线的电流，从而能够针对每个区域控制等离子体密度的等离子体处理方法。

本发明的技术问题不限于上述技术问题，本领域的技术人员可以通过下面的描述清楚地理解未提及的其它技术问题。

用于解决上述技术问题的本发明的等离子体处理装置的一方面(aspect)包括：腔室，具有产生等离子体的处理空间；以及等离子体产生单元，用于将所述处理空间内的气体激发为等离子体状态，其中，所述等离子体产生单元包括：第一电源，提供用于产生所述等离子体的电力；线圈部，与所述第一电源连接；第一并联电容器，连接在所述线圈部的第一节点与接地电源之间；以及第二并联电容器，连接在所述线圈部的不同于所述第一节点的第二节点与所述接地电源之间。

所述等离子体处理装置通过控制所述第一并联电容器的电容值和所述第二并联电容器的电容值来调节所述线圈部的电流。

所述等离子体处理装置通过调节所述线圈部的电流来控制所述等离子体的密度。

所述第一并联电容器和所述第二并联电容器是可变电容器。

所述线圈部以所述第一节点为基准划分为串联连接的第一部分线圈部和第二部分线圈部，以及所述等离子体处理装置通过控制所述第一并联电容器的电容值来调节所述第一部分线圈部的电流和所述第二部分线圈部的电流。

所述线圈部还包括：第三部分线圈部，所述第三部分线圈部隔着所述第二节点与所述第二部分线圈部串联连接，以及所述等离子体处理装置通过控制所述第二并联电容器的电容值来调节所述第二部分线圈部的电流和所述第三部分线圈部的电流。

所述等离子体产生单元还包括：第三并联电容器，连接在所述线圈部的不同于所述第二节点的第三节点与所述接地电源之间，所述线圈部还包括：第四部分线圈部，所述第四部分线圈部隔着所述第三节点与所述第三部分线圈部串联连接，以及所述等离子体处理装置通过控制所述第三并联电容器的电容值来调节所述第三部分线圈部的电流和所述第四部分线圈部的电流。

所述等离子体产生单元还包括：第四电容器，连接在不同于所述第三节点的第四节点与所述接地电源之间，以及所述等离子体处理装置通过控制所述第四电容器的电容值来调节所述线圈部的电压。