[发明专利]空白掩模用基板、其清洗方法及包括其的空白掩模

权利要求书

1.一种空白掩模用基板的清洗方法，其特征在于，包括：

第一清洗步骤，通过向待清洗基板照射预处理光来制备已被光清洗的基板，以及

第二清洗步骤，通过向已被光清洗的所述基板喷射第一清洗溶液并照射后处理光来制备空白掩模用基板；

所述预处理光是具有50nm以上且300nm以下的波长的光，

所述后处理光是具有50nm以上且450nm以下的波长的光。

2.根据权利要求1所述的空白掩模用基板的清洗方法，其特征在于，

所述预处理光的强度为25mW/cm²以上。

3.根据权利要求1所述的空白掩模用基板的清洗方法，其特征在于，

通过两个以上的光源向所述待清洗基板照射所述预处理光，

基于如下式1的从各个所述光源照射的所述预处理光的强度的UI值为20％以下：

[式1]

在上述式1中，

所述I_max是从各个所述光源照射的所述预处理光的强度中的最大值，

所述I_min是从各个所述光源照射的所述预处理光的强度中的最小值。

4.根据权利要求1所述的空白掩模用基板的清洗方法，其特征在于，

所述第一清洗步骤在减压气氛中执行，

配置有所述待清洗基板的气氛的排气压力为0.01kPa以上且1kPa以下。

5.根据权利要求1所述的空白掩模用基板的清洗方法，其特征在于，

所述第一清洗溶液包括SC-1溶液、臭氧水、超纯水、氢水以及碳酸水中的至少任意一种，

所述SC-1溶液是包含NH₄OH、H₂O₂以及H₂O的溶液。

6.根据权利要求1所述的空白掩模用基板的清洗方法，其特征在于，

已被光清洗的所述基板是去除了一部分或者全部特定化合物后的基板，所述特定化合物是吸收具有100nm至190nm范围的波长的光的化合物。

7.根据权利要求1所述的空白掩模用基板的清洗方法，其特征在于，

所述第一清洗溶液包含羟基自由基前驱体，

当所述第一清洗溶液喷射在所述基板上时，通过照射所述后处理光来形成羟基自由基。

8.根据权利要求1所述的空白掩模用基板的清洗方法，其特征在于，

作为通过离子色谱法测量出的残留离子，所述空白掩模用基板包含0ng/cm²以上且0.1ng/cm²以下的硫酸离子、0ng/cm²以上且0.4ng/cm²以下的硝酸离子、0ng/cm²以上且0.05ng/cm²以下的亚硝酸离子以及0ng/cm²以上且1.5ng/cm²以下的铵离子。

9.根据权利要求1所述的空白掩模用基板的清洗方法，其特征在于，

基于如下式2的所述空白掩模用基板的PRE值为90％以上：

[式2]

在上述式2中，

所述P_b值是在所述待清洗基板上测量的颗粒数，

所述P_a值是在所述空白掩模用基板上测量的颗粒数。