[发明专利]空白掩模用基板、其清洗方法及包括其的空白掩模

说明书

本实施方式涉及一种空白掩模用基板的清洗方法，其包括：第一清洗步骤，通过向待清洗基板照射预处理光来制备已被光清洗的基板，以及第二清洗步骤，通过向已被光清洗的所述基板喷射第一清洗溶液并照射后处理光来制备空白掩模用基板；所述预处理光是具有50nm以上且300nm以下的波长的光，所述后处理光是具有50nm以上且450nm以下的波长的光。所述空白掩模用基板的清洗方法能够有效地去除残留在基板表面而引起雾度的离子等。

技术领域

本实施方式涉及一种空白掩模用基板、该空白掩模用基板的清洗方法及包括该空白掩模用基板的空白掩模。

背景技术

由于半导体装置等的高集成化，需要半导体装置的电路图案的精细化。由此，进一步强调光刻技术的重要性，所述光刻技术是利用光掩模在晶圆表面上显影电路图案的技术。

为了显影精细化了的电路图案，需要在曝光工艺中使用的曝光光源的短波长化。最近使用的曝光光源包括ArF准分子激光器(波长：193nm)等。

空白掩模包括：透光基板；和形成在透光基板上的如遮光膜等的薄膜。透光基板可以通过对具有透光性的材料进行形状加工，然后经过抛光过程和清洗过程等而制备。

随着在晶圆上显影的电路图案变得精细化，需要更加有效地抑制在空白掩模制备过程中可能会出现的缺陷(defect)。在完成的空白掩模中可出现的缺陷中，可能会有由透光基板所引起的缺陷。为了显影所需的微电路图案，需要对透光基板的平滑度和表面粗糙度等特性进行精密控制，并且比以往进一步减少透光基板自身的缺陷或颗粒(particle)等。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：韩国授权专利第10-0316374号

专利文献2：韩国授权专利第10-0745065号

发明内容

发明要解决的问题

本实施方式提供一种空白掩模用基板的清洗方法等，其能够去除存在于空白掩模用基板上的颗粒等，并且能够有效地抑制在基板上产生雾度(haze)。

用于解决问题的手段

为了实现上述目的，根据一实施方式的空白掩模用基板的清洗方法包括：第一清洗步骤，通过向待清洗基板照射预处理光来制备已被光清洗的基板；以及第二清洗步骤，通过向已被光清洗的所述基板喷射第一清洗溶液并照射后处理光来制备空白掩模用基板。

所述预处理光是具有50nm以上且300nm以下的波长的光。

所述后处理光是具有50nm以上且450nm以下的波长的光。

所述预处理光的强度可以为25mW/cm²以上。

所述预处理光可以通过两个以上的光源照射到所述待清洗基板。

基于如下式1的从各个所述光源照射的预处理光的强度的UI值可以为20％以下。

[式1]

在上述式1中，I_max是从各个所述光源照射的所述预处理光的强度中的最大值，I_min是从各个所述光源照射的所述预处理光的强度中的最小值。

所述第一清洗步骤可以在减压气氛中执行。

配置有所述待清洗基板的气氛的排气压力可以为0.01kPa以上且1kPa以下。

所述第一清洗溶液可以包括SC-1(Standard Clean-1；标准清洗-1)溶液、臭氧水、超纯水、氢水及碳酸水中的至少任意一种。