[发明专利]一种纳米银修饰的MOF泡沫镍基底、制备方法及其应用在审
申请号: | 202210974731.0 | 申请日: | 2022-08-15 |
公开(公告)号: | CN115418690A | 公开(公告)日: | 2022-12-02 |
发明(设计)人: | 王丽;赵一剑;王芹志;张若曦 | 申请(专利权)人: | 西北农林科技大学深圳研究院 |
主分类号: | C25D5/40 | 分类号: | C25D5/40;C25D5/00;G01N21/65;C25D9/02 |
代理公司: | 西安恒泰知识产权代理事务所 61216 | 代理人: | 王孝明 |
地址: | 518057 广东省深圳市南山区粤*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 纳米 修饰 mof 泡沫 基底 制备 方法 及其 应用 | ||
1.一种纳米银修饰的MOF泡沫镍基底的制备方法,其特征在于,采用电化学沉积法,依次将钴镍前驱体和纳米银修饰在预处理泡沫镍上,制得纳米银修饰的MOF泡沫镍基底。
2.如权利要求1所述的纳米银修饰的MOF泡沫镍基底的制备方法,其特征在于,该方法具体包括如下步骤:
步骤一,进行预处理;
依次采用稀盐酸、无水乙醇和去离子水对泡沫镍进行预处理,然后清洁泡沫镍表面,制得预处理泡沫镍;
步骤二,制备钴镍前驱体;
将硝酸钴、硝酸镍和HmIM加入至甲醇水溶液中,混合均匀后制得钴镍前驱体;
步骤三,制备MOF泡沫镍基底;
以步骤一制得的预处理泡沫镍作为工作电极,以铂丝电极作为对电极,以饱和甘汞电极作为参比电极,以步骤二制得的钴镍前驱体作为电化学沉积的电解质溶液,进行第一次电化学沉积,制得MOF泡沫镍基底;所述的第一次电化学沉积的条件为:沉积电压为-0.3~-1.0V,沉积时间为200~500s;
步骤四,进行纳米银修饰;
以步骤三制得的MOF泡沫镍基底作为工作电极,以铂丝电极作为对电极,以Ag/AgCl电极作为参比电极,在硝酸银溶液中进行第二次电化学沉积,制得纳米银修饰的MOF泡沫镍基底;所述的第二次电化学沉积的条件为:沉积电压为-0.1~-0.3V,沉积时间为5~15min。
3.如权利要求2所述的纳米银修饰的MOF泡沫镍基底的制备方法,其特征在于,步骤二中,所述的甲醇水溶液中甲醇和水的质量分数之比为19:1。
4.如权利要求2所述的纳米银修饰的MOF泡沫镍基底的制备方法,其特征在于,步骤二中,所述的钴镍前驱体中硝酸钴、硝酸镍和HmIM的摩尔量之比为1:1:8。
5.如权利要求2所述的纳米银修饰的MOF泡沫镍基底的制备方法,其特征在于,步骤四中,硝酸银溶液的摩尔浓度为0.05mol L-1。
6.如权利要求1至5任一项所述的纳米银修饰的MOF泡沫镍基底的制备方法制得的纳米银修饰的MOF泡沫镍基底用于四环素检测中的应用。
7.如权利要求6所述的应用,其特征在于,该应用的方法包括如下步骤:
步骤一,建立拉曼强度与四环素浓度的关系式;
将纳米银修饰的MOF泡沫镍基底,分别浸入到一系列的四环素标准溶液中,进行拉曼光谱扫描后测得1313cm-1处的拉曼强度,根据四环素标准溶液的摩尔浓度的对数与1313cm-1处的拉曼强度绘制散点图,经线性拟合后获得拉曼强度与四环素浓度对数的线性方程,如式Ⅳ所示:
y=365.21x+3827.39 式Ⅳ;
式中:
y表示四环素标准溶液的在1313cm-1处的拉曼强度;
x表示四环素标准溶液的摩尔浓度的对数;
步骤二,进行检测;
将纳米银修饰的MOF泡沫镍基底,浸入到待测试样品中,进行拉曼光谱扫描后测得1313cm-1处的拉曼强度,将待测试样品的拉曼强度代入式Ⅳ中,计算并获得待测试样品中四环素的摩尔浓度。
8.如权利要求7所述的应用,其特征在于,步骤二中,拉曼光谱扫描的条件为:采用785nm的激发波长,激发10s。
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