[发明专利]半导体封装件在审
申请号: | 202210974982.9 | 申请日: | 2022-08-15 |
公开(公告)号: | CN116072616A | 公开(公告)日: | 2023-05-05 |
发明(设计)人: | 杨慧敏 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/498;H01L23/16 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 李娜;王占杰 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 | ||
1.一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:
半导体芯片,所述半导体芯片包括:
半导体衬底,所述半导体衬底具有有源层,
接地芯片焊盘,所述接地芯片焊盘位于所述半导体衬底上,以及
信号芯片焊盘,所述信号芯片焊盘位于所述半导体衬底上;以及封装基板,所述封装基板支撑所述半导体芯片,所述封装基板包括:
基板绝缘层,
多个信号线图案,所述多个信号线图案在所述基板绝缘层中延伸并且电连接到所述信号芯片焊盘,以及
多个接地线图案,所述多个接地线图案在所述基板绝缘层中以与所述多个信号线图案的水平高度相同的水平高度延伸,并且电连接到所述接地芯片焊盘,
其中,所述多个接地线图案中的至少一个接地线图案在所述多个信号线图案之间延伸。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件,
其中,所述接地芯片焊盘位于所述半导体衬底的中央,并且
其中,所述信号芯片焊盘位于所述半导体衬底的边缘处,从而位于所述接地芯片焊盘的外侧。
3.根据权利要求1所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括:
信号芯片连接端子,所述信号芯片连接端子位于所述半导体芯片与所述封装基板之间以将所述信号芯片焊盘电连接到所述信号线图案;以及
接地芯片连接端子,所述接地芯片连接端子位于所述半导体芯片与所述封装基板之间以将所述接地芯片焊盘电连接到所述接地线图案。
4.根据权利要求3所述的半导体封装件,其中,所述封装基板还包括:
多个信号基板焊盘,所述多个信号基板焊盘接触所述信号芯片连接端子并且电连接到所述信号线图案;以及
多个接地基板焊盘,所述多个接地基板焊盘接触所述接地芯片连接端子并且电连接到所述接地线图案,
其中,所述多个信号基板焊盘和所述多个接地基板焊盘以锯齿形布置。
5.根据权利要求4所述的半导体封装件,其中,在一个接地线图案在所述多个信号基板焊盘中的相邻的两个信号基板焊盘之间延伸的位置处,所述多个信号基板焊盘中的所述相邻的两个信号基板焊盘之间的节距为125微米至148微米。
6.根据权利要求4所述的半导体封装件,其中,在一个接地线图案和一个信号线图案在所述多个信号基板焊盘中的相邻的两个信号基板焊盘之间延伸的位置处,所述多个信号基板焊盘中的所述相邻的两个信号基板焊盘之间的节距为146微米至158微米。
7.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述封装基板还包括:
信号通路图案,所述信号通路图案在所述基板绝缘层中延伸并且将所述多个信号线图案彼此电连接;以及
接地通路图案,所述接地通路图案在所述基板绝缘层中沿垂直方向延伸并且将所述多个接地线图案彼此电连接。
8.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,当从平面图中观察所述半导体封装件时,所述接地线图案和所述信号线图案中的每一者的宽度为5微米至20微米。
9.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,每个所述接地线图案与每个所述信号线图案之间的在水平方向上的距离为10微米至100微米。
10.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述接地线图案和所述信号线图案中的每一者的宽度为3微米至30微米。
11.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述接地线图案和所述信号线图案包括铜。
12.根据权利要求3所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括:
底部填充层,所述底部填充层位于所述半导体芯片与所述封装基板之间并且围绕所述信号芯片连接端子和所述接地芯片连接端子;以及
模制层,所述模制层在所述封装基板上围绕所述半导体芯片。
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