[发明专利]半导体封装件在审

专利信息
申请号: 202210974982.9 申请日: 2022-08-15
公开(公告)号: CN116072616A 公开(公告)日: 2023-05-05
发明(设计)人: 杨慧敏 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/498;H01L23/16
代理公司: 北京市立方律师事务所 11330 代理人: 李娜;王占杰
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装
【说明书】:

一种半导体封装件包括半导体芯片和支撑所述半导体芯片的封装基板,所述半导体芯片包括:半导体衬底,所述半导体衬底具有有源层;接地芯片焊盘,所述接地芯片焊盘位于所述半导体衬底上;以及信号芯片焊盘,所述信号芯片焊盘位于所述半导体衬底上,所述封装基板包括:基板绝缘层;多个信号线图案,所述多个信号线图案在所述基板绝缘层中延伸并且电连接到所述信号芯片焊盘;以及多个接地线图案,所述多个接地线图案在所述基板绝缘层中以与所述多个信号线图案的水平高度相同的水平高度延伸,并且电连接到所述接地芯片焊盘。所述多个接地线图案中的至少一个接地线图案在所述多个信号线图案之间延伸。

相关申请的交叉引用

本申请基于并要求于2021年11月3日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2021-0149954的优先权,其公开内容通过引用整体并入本文。

技术领域

本发明构思涉及一种半导体封装件。

背景技术

随着半导体芯片的存储容量增加,包括半导体芯片的半导体封装件需要薄且轻。另外,趋向于对将各种功能的半导体芯片包括在半导体封装件中以及快速驱动半导体芯片进行研究。响应于这种趋势,正在积极地进行对减小半导体封装件的尺寸和改善半导体封装件的操作性能的研究。

发明内容

本发明构思涉及一种具有改善的信号完整性的半导体封装件。

根据本发明构思的一些示例实施例,提供了一种半导体封装件,其包括半导体芯片和支撑所述半导体芯片的封装基板,所述半导体芯片包括具有有源层的半导体衬底、位于所述半导体衬底上的接地芯片焊盘以及位于所述半导体衬底上的信号芯片焊盘,所述封装基板包括:基板绝缘层;多个信号线图案,所述多个信号线图案在所述基板绝缘层中延伸并且电连接到所述信号芯片焊盘;以及多个接地线图案,所述多个接地线图案在所述基板绝缘层中以与所述多个信号线图案的水平高度相同的水平高度延伸,并且电连接到所述接地芯片焊盘。所述多个接地线图案中的至少一个接地线图案在所述多个信号线图案之间延伸。

根据本发明构思的一些示例实施例,提供了一种半导体封装件,其包括:第一半导体芯片,包括具有第一有源层的第一半导体衬底、位于所述第一半导体衬底下方的第一下接地芯片焊盘、位于所述第一半导体衬底下方的第一下信号芯片焊盘、沿垂直方向穿过所述第一半导体衬底的至少一部分并且电连接到所述第一下接地芯片焊盘的接地贯穿电极、沿所述垂直方向穿过所述第一半导体衬底的至少一部分并且电连接到所述第一下信号芯片焊盘的信号贯穿电极、位于所述第一半导体衬底上并且电连接到所述接地贯穿电极的第一上接地芯片焊盘以及位于所述第一半导体衬底上并且电连接到所述信号贯穿电极的第一上信号芯片焊盘;第二半导体芯片,所述第二半导体芯片位于所述第一半导体芯片上,所述第二半导体芯片包括具有第二有源层的第二半导体衬底、位于所述第二半导体衬底下方的第二下接地芯片焊盘以及位于所述第二半导体衬底下方的第二下信号芯片焊盘;接地芯片连接端子,所述接地芯片连接端子位于所述第一上接地芯片焊盘与所述第二下接地芯片焊盘之间;信号芯片连接端子,所述信号芯片连接端子位于所述第一上信号芯片焊盘与所述第二下信号芯片焊盘之间;以及封装基板,所述支封装基板支撑所述第一半导体芯片,所述封装基板包括基板绝缘层、在所述基板绝缘层中延伸并且电连接到所述第一下信号芯片焊盘的多个信号线图案以及在所述基板绝缘层中以与所述多个信号线图案的水平高度相同的水平高度延伸并且电连接到所述第一下接地芯片焊盘的多个接地线图案。所述多个接地线图案中的至少一个接地线图案在所述多个信号线图案之间延伸。

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