[发明专利]晶圆用UV减粘胶及其制备方法、晶圆用UV减粘胶带

说明书

本发明提供了一种晶圆用UV减粘胶及其制备方法、晶圆用UV减粘胶带，涉及UV减粘胶的技术领域，主要由以下质量份数计的原料制备而成：第一单体30‑60份、第二单体10‑30份、第三单体2‑10份、第四单体1‑5份、聚合引发剂0.01‑0.5份、溶剂100‑200份、多官能团聚氨酯丙烯酸酯类预聚物和/或多官能团丙烯酸酯类单体5‑15份，以及光引发剂0.5‑2份，本发明的晶圆用UV减粘胶解决了减粘胶在UV后的剥离力不易下降，容易导致晶圆在去除UV膜时有胶粒残留的技术问题，达到了减粘胶的贴合好、剥离好、耐水佳，以及在去除晶圆表面UV膜时不留残胶、无小颗粒的技术效果。

技术领域

本发明涉及UV减粘胶技术领域，尤其是涉及一种晶圆用UV减粘胶及其制备方法、晶圆用UV减粘胶带。

背景技术

从芯片的垂直结构来看，大部分集成电路是在硅基体材料的浅表面层上制造的，由于在制造过程中涉及大量的工艺要求，因此对晶圆的尺寸精度、几何精度以及表面洁净度均提出很高的要求。在几百道的制造工艺过程中，为了防止流转过程中的晶圆破损，是不能采用较薄的晶片，必须采用一定厚度的晶片在工艺过程中传递、流片。然而，这又与目前要求芯片的体积小、厚度薄、功耗低等相矛盾，因此芯片在各项工艺后的封装前，晶片背面多余的基体材料需要去除一定的厚度，这一工艺过程称之为晶片背面减薄工艺，在晶圆减薄的过程中会使用一款UV减粘的保护膜，目的是使晶圆在研磨减薄的过程中不被损坏。

在晶圆减薄的过程中，使用的UV减粘保护膜，在晶圆研磨时能够起到支撑的作用，研磨后再照射紫外线使保护膜的粘性降低以方便去除。UV保护膜在紫外线照射的前后有两个粘性，分别为一大一小，晶圆在研磨的过程中需要保护膜具有较大的粘性来抵抗快速研磨过程中的拉扯和应力，同时UV前的剥离力大，UV后的一般也不会太小，它们是一对矛盾体，加上晶圆的表面能相当大，叠加后UV后的剥离力不易下降，因此在去除UV保护膜的时候特别容易有胶粒残留，而这些不易清理的残留会对晶圆造成不可逆转的伤害。

有鉴于此，特提出本发明。

发明内容

本发明的目的之一在于提供一种晶圆用UV减粘胶，具有贴合好、剥离好以及耐水佳的特点，能够实现在去除晶圆表面UV膜时清洁无残胶、无小颗粒的效果。

本发明的目的之二在于提供一种晶圆用UV减粘胶的制备方法，工艺简单，易于操作。

本发明的目的之三在于提供一种晶圆用UV减粘胶带，具有贴合好、剥离好以及耐水佳的特点，能够实现在去除晶圆表面UV膜时不留残胶、无小颗粒的技术效果。

为了实现本发明的上述目的，特采用以下技术方案：

第一方面，一种晶圆用UV减粘胶，主要由以下质量份数计的原料制备而成：

第一单体30-60份、第二单体10-30份、第三单体2-10份、第四单体1-5份、聚合引发剂0.01-0.5份、溶剂100-200份、多官能团聚氨酯丙烯酸酯类预聚物和/或多官能团丙烯酸酯类单体5-15份，以及光引发剂0.5-2份；

其中，所述第一单体包括丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸丁酯、丙烯酸异辛酯以及甲基丙烯酸异辛酯中的至少一种；

所述第二单体包括丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、邻苯二甲酸二烯丙酯、苯乙烯、乙酸乙烯酯以及丙烯酸环已酯中的至少一种；

所述第三单体包括丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羟乙酯、甲基丙烯酸羟乙酯以及丙烯酰胺中的至少一种；

所述第四单体包括N-羟甲基丙烯酰胺、马来酸二异辛酯、富马酸二丁酯、2-氨基乙基甲基丙烯酸酯、2-金刚烷基-甲基丙烯酸酯、新戊二醇二丙烯酸酯、甲基丙烯酸月桂酯、丙烯酸月桂酯、甲基丙烯酸异冰片酯、丙烯酸异冰片酯、NVP、THFMA、PHEMA、环己烷二甲醇二甲基丙烯酸酯、1,10-癸二醇二丙烯酸酯以及1,5-戊二醇二丙烯酸酯中的至少一种。