[发明专利]半导体装置、及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

衬底；

第1膜，配置在所述衬底的主面侧；

第2膜，隔着所述第1膜而配置在所述衬底的相反侧，且主面与所述第1膜的主面接触；以及

第3膜，隔着所述第2膜而配置在所述第1膜的相反侧；

所述第3膜的所述衬底侧的主面具有二维分布的凸部或凹部，

所述第3膜的与所述衬底为相反侧的主面平坦，

所述第2膜对红外光的吸收率大于所述第3膜对所述红外光的吸收率，

所述第3膜的热膨胀系数与所述第2膜的热膨胀系数不同。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

所述第3膜的所述衬底侧的主面具有多个凸部，

所述多个凸部在沿着所述衬底侧的主面的方向上相隔。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

所述第3膜的所述衬底侧的主面具有多个凹部，

所述多个凹部在沿着所述衬底侧的主面的方向上相隔。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

所述第1膜及所述第2膜分别包含半导体氧化物，

所述第3膜包含半导体多晶材或半导体非晶材。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

所述第3膜的热膨胀系数大于所述第2膜的热膨胀系数。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

所述第3膜的热膨胀系数小于所述第2膜的热膨胀系数。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

所述红外光为红外脉冲激光，

所述第2膜对所述红外脉冲激光的吸收率大于所述第3膜对所述红外脉冲激光的吸收率。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

所述第3膜的热膨胀系数与所述衬底的热膨胀系数不同。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中

所述第3膜的热膨胀系数大于所述衬底的热膨胀系数。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中

所述第3膜的热膨胀系数小于所述衬底的热膨胀系数。

11.一种半导体装置的制造方法，具备以下步骤：

在第1衬底上积层第1膜，在第2衬底上积层第3膜、第2膜；

将所述第1膜的所述第1衬底相反侧的主面与所述第2膜的所述第2衬底相反侧的主面接合；

以焦点位于所述第2膜附近的方式从所述第2衬底侧照射红外激光；以及

将所述第2衬底剥离；

所述第2膜对所述红外激光的吸收率大于所述第2衬底对所述红外激光的吸收率，

所述第3膜的热膨胀系数不同于与所述第3膜接触的膜的热膨胀系数。

12.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中

所述第2膜对所述红外脉冲激光的吸收率大于所述第3膜对所述红外脉冲激光的吸收率。

13.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中

所述照射包含以在所述第2膜内二维分布多个照射部的方式照射红外激光的步骤。

14.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其中

所述红外激光使用脉冲激光。

15.根据权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其中

所述第3膜的热膨胀系数与所述第2衬底的热膨胀系数不同，

所述剥离包含在所述第3膜的所述第2衬底侧的主面进行剥离的步骤。