[发明专利]半导体装置、及半导体装置的制造方法

说明书

实施方式提供一种适合适当地进行衬底的剥离的半导体装置、及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具有衬底、第1膜、第2膜、及第3膜。第1膜配置在衬底的主面侧。第2膜隔着第1膜而配置在衬底的相反侧。第2膜的主面与第1膜的主面接触。第3膜隔着第2膜而配置在第1膜的相反侧。第3膜的衬底侧的主面具有二维分布的凸部或凹部。第3膜的与衬底为相反侧的主面平坦。第2膜对红外光的吸收率大于第3膜对红外光的吸收率。第3膜的热膨胀系数与第2膜的热膨胀系数不同。

[相关申请的交叉参考]

本申请享有以日本专利申请2021-202458号(申请日：2021年12月14日)为基础申请的优先权。本申请通过参考该基础申请而包含基础申请的所有内容。

技术领域

本实施方式涉及一种半导体装置、及半导体装置的制造方法。

背景技术

在制造半导体装置时，有时将2个衬底接合，然后，将2个衬底中的一衬底剥离。 业界期望适当地进行该衬底的剥离。

发明内容

本发明要解决的问题在于提供一种适合适当地进行衬底的剥离的半导体装置、及半 导体装置的制造方法。

本实施方式的半导体装置具有衬底、第1膜、第2膜、及第3膜。第1膜配置在衬 底的主面侧。第2膜隔着第1膜而配置在衬底的相反侧。第2膜的主面与第1膜的主面 接触。第3膜隔着第2膜而配置在第1膜的相反侧。第3膜的衬底侧的主面具有二维分 布的凸部或凹部。第3膜的与衬底相反侧的主面平坦。第2膜对红外光的吸收率大于第 3膜对红外光的吸收率。第3膜的热膨胀系数与第2膜的热膨胀系数不同。

附图说明

图1是表示实施方式的半导体装置的构成的剖视图。

图2是表示实施方式的半导体装置的制造方法的流程图。

图3A～图3F是表示实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图。

图4A及图4B是表示实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图。

图5A～图5C是表示实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图。

图6A～图6C是表示实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图。

图7是表示实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图。

图8是表示实施方式的半导体装置的制造方法的俯视图。

图9A～图9E是表示实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图。

图10是表示实施方式的第1变化例的半导体装置的制造方法的剖视图。

图11A～图11E是表示实施方式的第1变化例的半导体装置的制造方法的剖视图。

图12A～图12D是表示实施方式的第2变化例的半导体装置的制造方法的剖视图。

图13是表示实施方式的第2变化例的半导体装置的制造方法的剖视图。

图14A～图14D是表示实施方式的第3变化例的半导体装置的制造方法的剖视图。

图15是表示实施方式的第3变化例的半导体装置的制造方法的剖视图。

图16A～图16E是表示实施方式的第3变化例的半导体装置的制造方法的剖视图。

图17是表示实施方式的第4变化例的半导体装置的构成的剖视图。

图18是表示实施方式的第4变化例的半导体装置的制造方法的剖视图。

图19A～图19E是表示实施方式的第4变化例的半导体装置的制造方法的剖视图。

具体实施方式