[发明专利]一种高抗茎腐病玉米的育种方法在审

专利信息
申请号: 202210982897.7 申请日: 2022-08-16
公开(公告)号: CN115399237A 公开(公告)日: 2022-11-29
发明(设计)人: 冀怀远;金锐;于新艳;朱全贵;李丹;苏法 申请(专利权)人: 安徽荃银高科种业股份有限公司
主分类号: A01H1/00 分类号: A01H1/00;A01H1/02;A01H1/04
代理公司: 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 代理人: 张杰
地址: 230088 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 高抗茎腐病 玉米 育种 方法
【权利要求书】:

1.一种高抗茎腐病玉米的育种方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1.用选自杂交种X1132选系,并经过多代自交选育而成的稳定系Q900作为母本;

S2.用昌7-2×H1035连续经过多代自交选育得到稳定系693作为父本;

S3.用稳定系Q900母本与稳定系693父本进行杂交配制组合,采用人工接种鉴定法对杂交后代进行茎腐病鉴定与筛选,选育高抗茎腐病玉米杂交种荃科玉900,而后于黄淮海夏玉米区域进行栽培种植。

2.根据权利要求1所述的高抗茎腐病玉米的育种方法,其特征在于,所述母本Q900与父本693的自交地点交替性地选取于海南及蚌埠。

3.根据权利要求1所述的高抗茎腐病玉米的育种方法,其特征在于,步骤S1中的自交代数为8代。

4.根据权利要求1所述的高抗茎腐病玉米的育种方法,其特征在于,步骤S2中的自交代数为7代。

5.根据权利要求1所述的高抗茎腐病玉米的育种方法,其特征在于,所述杂交种X1132由玉米种系PH4CV与PH6WC杂交而得。

6.根据权利要求1所述的高抗茎腐病玉米的育种方法,其特征在于,所述昌7-2×H1035由玉米种系517F与南非杂交种二环系杂交而得。

7.根据权利要求1所述的高抗茎腐病玉米的育种方法,其特征在于,步骤S1中,母本Q900的选育过程如下:

以X1132为基础材料,在蚌埠经自交得到S0;

在海南种植S0代,选择早熟个体单株进行自交得到S1,并在成熟时选择综合性状优良的S1单株;

在蚌埠种植S1代,选择早熟个体单株进行自交得到S2,并在成熟时,通过抗茎腐病性、抗倒性及产量进行选择,得到S2单株;

在海南种植S2代,选择早熟个体单株进行自交得到S3,并在成熟时,通过抗茎腐病性、抗倒性及产量进行选择,得到S3单株;

在蚌埠种植S3代,选择早熟个体单株进行自交得到S4,并在成熟时,通过抗茎腐病性、抗倒性及产量进行选择,得到S4单株;

在海南种植S4代,选择早熟个体单株进行自交得到S5,并在成熟时,通过抗茎腐病性、抗倒性及产量进行选择,得到S5单株;

在蚌埠种植S5代,选择早熟个体单株进行自交得到S6’,并在成熟时,通过抗茎腐病性、抗倒性及产量进行选择,得到S6’单株;

在海南种植S6代,选择早熟个体单株进行自交得到S7’,并在成熟时,通过抗茎腐病性、抗倒性及产量进行选择,得到S7’单株,S7’田间表现一致,自交稳定,即为母本Q900。

8.根据权利要求1所述的高抗茎腐病玉米的育种方法,其特征在于,步骤S2中,父本693的选育过程如下:

以昌7-2×H1035为基础材料,在蚌埠自交得到S0’;

在海南种植S0’代,选择早熟个体单株进行自交得到S1’,并在成熟时,通过抗茎腐病性、抗倒性及产量进行选择,得到S1’单株;

在蚌埠种植S1’代,选择早熟个体单株进行自交得到S2’,并在成熟时,通过抗茎腐病性、抗倒性及产量进行选择,得到S2’单株;

在海南种植S2’代,选择早熟个体单株进行自交得到S3’,并在成熟时,通过抗茎腐病性、抗倒性及产量进行选择,得到S3’单株;

在蚌埠种植S3’代,选择早熟个体单株进行自交得到S4’,并在成熟时,通过抗茎腐病性、抗倒性及产量进行选择,得到S4’单株;

在海南种植S4’代,选择早熟个体单株进行自交得到S5’,并在成熟时,通过抗茎腐病性、抗倒性及产量进行选择,得到S5’单株;

在蚌埠种植S’5代,选择早熟个体单株进行自交得到S’6,并在成熟时,通过抗茎腐病性、抗倒性及产量进行选择,得到S’6单株;

在海南种植自交系S’6代,田间表现一致,自交稳定,即为父本693。

9.根据权利要求1所述的高抗茎腐病玉米的育种方法,其特征在于,所述母本与所述父本在选育时,采用空间隔离种植或时间隔离种植。

10.根据权利要求1所述的高抗茎腐病玉米的育种方法,其特征在于,在杂交配制时,所述父本与母本的行比为1:6,并以满天星方式进行种植,将所述父本与所述母本的花期进行调节使二者花期相遇。

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