[发明专利]一种半蚀刻用低膨胀合金4J36去应力退火工艺方法

说明书

本发明涉及一种低膨胀合金产品的制备方法，一种半蚀刻用低膨胀合金4J36去应力退火工艺方法，包括成品轧程控制、清洗、拉矫、TA热处理。4J36成品轧程变形率控制在50‑70%，成品厚度≤0.05mm，厚度公差±0.002mm，清洗矫直后经TA卧式炉进行去应力退火处理，退火温度600‑700℃，退火工艺速度5‑10m/min。低膨胀合金4J36经去应力后可应用于OLED金属掩膜板生产，其经工艺半蚀刻后不产生蚀孔变形或翘曲等问题，满足金属掩膜板生产需求。该工艺技术开发将打破国外金属掩膜板基材垄断，为OLED国产化提供技术支撑。

技术领域

本发明涉及一种低膨胀合金产品的制备方法，具体涉及一种半蚀刻用低膨胀合金4J36去应力退火工艺方法。

背景技术

低膨胀合金4J36又称因瓦(INVAR)合金，低于230℃具有很低的膨胀系数。该合金主要用于制造在气温变化范围内尺寸近似恒定的元件，广泛用于无线电工业、精密仪器、仪表等行业。因其低膨胀特性而应用于OLED中作为金属掩膜板基材。目前4J36作为金属掩膜板基材主要由日本日立金属垄断，国外对基材的垄断极大的限制了OLED产品和技术国产化。

因此开发一种半蚀刻用低膨胀合金4J36去应力退火工艺方法，生产出一种满足金属掩膜板生产用半蚀刻产品，满足OLED电子显示屏行业需求。

本发明的目的是提供一种应用于金属掩膜板用半蚀刻低膨胀合金4J36，通过全工序系统性研究，开发冷硬态低膨胀合金4J36去应力退火工艺方法，满足金属掩膜板用半蚀刻工艺需求。生产的半蚀刻用低膨胀合金4J36产品打破国外长期垄断，为OLED国产化提供技术支撑。

发明内容

本发明的目的就是针对上述问题，提供一种半蚀刻用低膨胀合金4J36去应力退火工艺方法。

本发明的目的是这样实现的：一种半蚀刻用低膨胀合金4J36去应力退火工艺方法，包括以下步骤：步骤一：成品轧制：对4J36进行精密轧制，成品轧程变形率为50%-70%，4J36成品厚度≤0.05mm，厚度公差控制在±0.002mm；步骤二：清洗：成品轧制后使用化学喷洗液清洗带钢表面进行脱脂，化学喷洗液为化学喷洗液碱性脱脂剂，浓度配置为3-5%，依次经预喷淋、刷洗机和高压喷淋，预喷淋、刷洗机和高压喷淋水箱的水温均为60-80℃，经烘干机烘干后表面洁净无轧制油残留；步骤三：拉矫：经过清洗后进行板型拉矫，超薄料采用张力模式，拉矫后板型平直，无明显轧制浪；步骤四：热处理：对拉矫后的4J36进行退火热处理，退火温度600-700℃，退火工艺速度5-10m/min。

步骤一中进行轧制所述4J36采用四立柱二十辊轧机精密轧制。

步骤一中成品轧程变形率的控制采用成品道次采用3-5道次，第一道次变形量控制在22～35%之间，中间道次变形量控制在10～20%之间，成品道次变形量控制在7～15%之间的方式。

步骤三中矫直采用二十三辊拉矫机，卷取采用厚壁钢套筒，壁厚100-150mm。

步骤四中热处理采用卧式TA退火炉进行钢带的张力退火。

步骤四中加热炉的张力大于等于100kg时，所述加热炉采用张力辊模式；当加热炉的张力小于100kg时，所述加热炉采用弹跳辊模式。

炉内气氛采用全氢或全氮气保护性气氛，其中采用全氢保护性气氛时氢气纯度不低于99.999％，氢气的露点不高于-60℃；采用全氮气保护性气氛时氮气纯度不低于99.99％，氮气露点不高于-50℃。

本发明的有益效果是：该发明将为半蚀刻用低膨胀合金4J36提供一种去应力退火处理方法。通过对4J36成品轧程变形率、TA退火炉工艺参数控制，能够生产出一种半蚀刻用低膨胀合金4J36，其半蚀刻后无变形、翘曲等问题，满足OLED金属掩膜板行业需求。

附图说明

下面结合附图对本发明作进一步的描述。