[发明专利]光刻设备

说明书

描述了一种光刻设备，该设备包括：投影系统(PS；200)，所述投影系统被配置为将图案化的辐射束(B)投影到衬底(W)上；所述投影系统包括多个光学元件(200.1、200.2)；传感器框架(220)；第一位置测量系统(240)，所述第一位置测量系统被配置为测量所述多个光学元件相对于所述传感器框架的位置；其中所述传感器框架包括：‑N个子框架(220.1、220.2)，N是大于1的整数；‑耦合N个子框架的耦合系统(220.3)；和‑第二位置测量系统(250)，所述第二位置测量系统被配置为确定所述N个子框架的相对位置。

本申请为申请日为2018年1月11日、申请号为201880011274.7、题为“光刻设备和器件制造方法”的中国发明专利申请(对应的PCT国际申请号为PCT/EP2018/050640)的分案申请。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年2月10日提交的欧洲申请17155563.4的优先权，该欧洲申请的全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明涉及用于制造器件的光刻设备和方法。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案施加到衬底上(通常在衬底的目标部分上)的机器。例如，光刻设备可用于制造集成电路(IC)。在这种情况下，可以将可替代地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成于IC的单个层上的电路图案。可以将该图案转印到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括管芯的一部分、一个或几个管芯)上。通常，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行图案的转印。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括所谓的步进器，其中通过将整个图案一次曝光到目标部分上来辐照每个目标部分，以及包括所谓的扫描器，其中通过利用在给定方向(“扫描”方向)上的辐射束扫描图案来辐照每个目标部分的同时，同步地扫描与该方向平行或反平行的衬底。通常，这种图案化的辐射束在图案形成装置和衬底上的目标部分之间经历各种变换(例如，缩小)。这种变换通常借助于投影系统来实现，该投影系统可以包括各种光学元件，例如反射镜和/或透镜。在图案转印到目标部分期间，如果这种光学元件的相对位置会改变，这可能导致由衬底接收的图案化辐射束的变形或位移。这种变形或位移可能导致重叠误差。为了避免或减轻这种影响，已经建议借助于位置测量系统来监控这种光学元件的位置，该位置测量系统测量光学元件相对于框架的位置，例如，隔离框架，也称为传感器框架。通过监控光学元件相对于该传感器框架的位置，可以确定并考虑所述光学元件的相对位移的影响，例如，通过调节衬底相对于投影系统的位置。

然而，已经观察到，可以用作光学元件的参考位置的这种隔离的传感器框架也可能经受变形，例如，由于施加在它上面的力而产生的变形。因此，需要一种改进的传感器框架，用于监控光学元件在光刻设备的投影系统中的(相对)位置。

发明内容

希望提供一种光刻设备，由此可以更精确地监控投影系统的光学元件的位置。

根据本发明的第一方面，提供了一种光刻设备，包括：

投影系统，所述投影系统被配置为将图案化的辐射束投影到衬底上；所述投影系统包括多个光学元件；

传感器框架；

第一位置测量系统，所述第一位置测量系统被配置为测量所述多个光学元件相对于所述传感器框架的位置；其中所述传感器框架包括：

-N个子框架，N是大于1的整数；

-耦合N个子框架的耦合系统；和

-第二位置测量系统，所述第二位置测量系统被配置为确定所述N个子框架的相对位置。

根据本发明的第二方面，提供了一种光刻设备，包括：

投影系统，所述投影系统被配置为将图案化的辐射束投影到衬底上；所述投影系统包括多个光学元件；