[发明专利]一种TVS器件及制造方法

权利要求书

1.一种TVS器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一个基板，所述基板自下而上依次包括重掺杂第一导电类型的衬底及轻掺杂第一导电类型的外延；

在所述外延形成元胞区沟槽、终端区沟槽、栅极沟槽及电阻沟槽；

在所述外延上形成第一氧化层；

在所述元胞区沟槽、所述终端区沟槽、所述栅极沟槽及所述电阻沟槽内填充多晶硅；

利用离子注入工艺，在两个所述终端区沟槽之间的所述外延表面形成重掺杂第一导电类型的第一掺杂区；

利用离子注入工艺在所述外延表面形成具有第二导电类型的基区；

在所述第一掺杂区的上方形成第二导电类型的第二掺杂区；

利用离子注入工艺,在所述元胞区沟槽两侧形成重掺杂第一导电类型的源区；

利用薄膜沉积工艺形成第二氧化层，覆盖所述第一氧化层、所述多晶硅。

2.根据权利要求1所述的TVS器件的制造方法，其特征在于，在所述外延形成元胞区沟槽、终端区沟槽、栅极沟槽及电阻沟槽包括以下步骤：

在所述外延上形成硬掩膜；

利用蚀刻工艺，蚀刻所述硬掩膜及所述外延，形成元胞区沟槽、终端区沟槽、栅极沟槽及电阻沟槽；

利用蚀刻工艺去除所述硬掩膜。

3.根据权利要求1所述的TVS器件的制造方法，其特征在于，在所述外延形成元胞区沟槽、终端区沟槽、栅极沟槽及电阻沟槽后，还包括以下步骤：

在所述外延上形成牺牲层，以修复所述外延表面的损伤；

去除所述牺牲层。

4.根据权利要求1所述的TVS器件的制造方法，其特征在于，在所述元胞区沟槽、所述终端区沟槽、所述栅极沟槽及所述电阻沟槽内填充多晶硅包括以下步骤：

利用薄膜沉积工艺，在所述第一氧化层上形成多晶硅，并使所述多晶硅填充所述元胞区沟槽、所述终端区沟槽、所述栅极沟槽及所述电阻沟槽；

利用蚀刻工艺、平坦化工艺，去除所述元胞区沟槽、所述终端区沟槽、所述栅极沟槽及所述电阻沟槽外的多晶硅。

5.根据权利要求1所述的TVS器件的制造方法，其特征在于，利用一次扩散工艺，同时形成所述基区、所述第二掺杂区。

6.根据权利要求1所述的TVS器件的制造方法，其特征在于，还包括以下步骤：

利用蚀刻工艺，暴露所述源区的源区接触孔、所述第二掺杂区的掺杂区接触孔、所述栅极沟槽的栅极接触孔、所述基区的基区接触孔、所述电阻沟槽的第一电阻接触孔、所述电阻沟槽的第二电阻接触孔；

利用离子注入工艺，在所述源区接触孔、所述掺杂区接触孔、所述栅极接触孔、所述基区接触孔、所述第一电阻接触孔、所述第二电阻接触孔底部重掺杂第二导电类型形成体区；

利用薄膜沉积工艺，在所述第二氧化层顶面形成源区导电层和终端区导电层，所述源区导电层填充所述源区接触孔、所述基区接触孔、所述第一电阻接触孔并形成互联，所述终端区导电层填充所述掺杂区接触孔、所述栅极接触孔、所述第二电阻接触孔并形成互联。

7.根据权利要求6所述的TVS器件的制造方法，其特征在于：所述源区接触孔深度低于所述基区深度，并高于所述源区深度；所述掺杂区接触孔深度低于第二掺杂区深度；所述栅极接触孔深度低于所述栅极沟槽深度；所述基区接触孔深度低于所述基区深度；所述第一电阻接触孔及所述第二电阻接触孔的深度低于所述电阻沟槽深度。

8.根据权利要求1所述的TVS器件的制造方法，其特征在于，还包括以下步骤：

利用减薄工艺，对所述衬底底部进行减薄；

利用薄膜沉积工艺，形成背面导电层于所述衬底底部。