[发明专利]一种改善闪存结构中控制栅间隙填充的方法

权利要求书

1.一种改善闪存结构中控制栅间隙填充的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一衬底，所述衬底分为核心区和外围区，在所述衬底中形成多个隔离部件；

在所述衬底上形成位于所述核心区的多个相互隔开的浮栅和位于所述外围区的多个相互隔开的栅极；

实施第一刻蚀，露出所述浮栅和所述栅极的部分侧壁；

形成图形化的光刻胶层，覆盖所述衬底的外围区；

以所述图形化的光刻胶层为掩模，实施第二刻蚀，露出所述浮栅的整个侧壁，使所述浮栅之间的间隙呈倒梯形；

去除所述图形化的光刻胶层。

2.根据权利要求1所述的改善闪存结构中控制栅间隙填充的方法，其特征在于，形成所述浮栅和所述栅极，包括：

在所述衬底上沉积构成所述浮栅和所述栅极的栅极材料层；

研磨所述栅极材料层。

3.根据权利要求2所述的改善闪存结构中控制栅间隙填充的方法，其特征在于，所述研磨为化学机械研磨，所述研磨在位于所述核心区的隔离部件的顶部露出时终止。

4.根据权利要求2所述的改善闪存结构中控制栅间隙填充的方法，其特征在于，在所述衬底上沉积所述栅极材料层之前，在所述隔离部件之间的衬底上形成栅介质层。

5.根据权利要求4所述的改善闪存结构中控制栅间隙填充的方法，其特征在于，采用热氧化工艺形成所述栅介质层。

6.根据权利要求1所述的改善闪存结构中控制栅间隙填充的方法，其特征在于，所述第一刻蚀为湿法刻蚀。

7.根据权利要求6所述的改善闪存结构中控制栅间隙填充的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀使用的刻蚀剂为稀释氢氟酸溶液。

8.根据权利要求1或6所述的改善闪存结构中控制栅间隙填充的方法，其特征在于，通过实施所述第一刻蚀，调整所述核心区和所述外围区之间的台阶高度差。

9.根据权利要求1所述的改善闪存结构中控制栅间隙填充的方法，其特征在于，所述第二刻蚀为干法刻蚀。

10.根据权利要求1所述的改善闪存结构中控制栅间隙填充的方法，其特征在于，所述去除所述图形化的光刻胶层，包括：

沉积绝缘层、位于所述绝缘层上的控制栅材料层；

对所述控制栅材料层进行图形化形成控制栅。