[发明专利]半导体装置及半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

第1电极；

第2电极；

氧化物半导体层，其设置在所述第1电极与所述第2电极之间；

栅电极，其将所述氧化物半导体层的至少一部分包围；

栅极绝缘层，其至少一部分设置在所述栅电极与所述氧化物半导体层之间；

第1绝缘层，其设置在所述第1电极与所述栅电极之间；以及

第2绝缘层，其设置在所述第2电极与所述栅电极之间，

在与从所述第1电极朝向所述第2电极的第1方向平行、且包含所述氧化物半导体层的截面中，将连结第1端部和第2端部的方向定义为第2方向，所述第1端部是所述第1电极与所述第1绝缘层的界面的所述氧化物半导体层侧的端部，所述第2端部是所述第2电极与所述第2绝缘层的界面的所述氧化物半导体层侧的端部，

在所述截面中，所述氧化物半导体层的第1部分在所述第2方向上设置在所述栅极绝缘层与所述第1电极之间，

在所述截面中，所述氧化物半导体层的第2部分在所述第2方向上设置在所述栅极绝缘层与所述第2电极之间。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

在所述截面中，所述栅极绝缘层为平凸形状。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，

所述第1部分与所述第1绝缘层相接，所述第2部分与所述第2绝缘层相接。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，

在所述第1绝缘层与所述第1部分之间设置有所述栅极绝缘层的第1区域，在所述第2绝缘层与所述第2部分之间设置有所述栅极绝缘层的第2区域。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，

从所述第1绝缘层朝向所述第1部分的方向上的所述栅极绝缘层的所述第1区域的厚度为从所述栅电极朝向所述氧化物半导体层的方向上的所述栅电极与所述氧化物半导体层之间的所述栅极绝缘层的厚度的二分之一以下，

从所述第2绝缘层朝向所述第2部分的方向上的所述栅极绝缘层的所述第2区域的厚度为从所述栅电极朝向所述氧化物半导体层的方向上的所述栅电极与所述氧化物半导体层之间的所述栅极绝缘层的厚度的二分之一以下。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，

所述栅极绝缘层包括第1层和第2层，所述第2层设置在所述第1层与所述氧化物半导体层之间，化学组成与所述第1层不同。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，

所述第1层设置在所述栅电极与所述氧化物半导体层之间，

所述第2层设置在所述栅电极与所述氧化物半导体层之间、所述第1绝缘层与所述第1部分之间以及所述第2绝缘层与所述第2部分之间。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，

所述第1层包含硅即Si和氮即N，所述第2层包含硅即Si和氧即O。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，

所述第2方向与所述第1方向交叉。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，

所述氧化物半导体层包含选自铟即In、镓即Ga、以及铝即Al中的至少一种元素和锌即Zn。

11.一种半导体存储装置，具备：

权利要求1所述的半导体装置；和

与所述第1电极或者所述第2电极电连接的电容器。