[发明专利]三维存储器及其制备方法

权利要求书

1.三维存储器，其特征在于，包括：

存储叠层结构；

多个存储沟道结构，贯穿所述存储叠层结构；

选择叠层结构，位于所述存储叠层结构上；

顶部选择栅切口结构，贯穿所述选择叠层结构；以及

多个选择沟道结构，贯穿所述选择叠层结构并与多个所述存储沟道结构分别连接，其中，多个所述选择沟道结构沿着所述顶部选择栅切口结构的延伸方向成行布置，所述顶部选择栅切口结构在相邻的选择沟道结构行之间延伸；

所述顶部选择栅切口结构每侧具有至少一个偏置选择沟道结构行，其中，所述偏置选择沟道结构行中的选择沟道结构，其轴线与所述顶部选择栅切口结构的距离，大于其连接的存储沟道结构的轴线与所述顶部选择栅切口结构的距离。

2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述选择沟道结构的最大关键尺寸小于所述存储沟道结构的最大关键尺寸。

3.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述选择沟道结构包括：电介质芯部以及依次围绕所述电介质芯部的导电层和绝缘层，其中，所述导电层与所述存储沟道结构相接触。

4.根据权利要求3所述的三维存储器，其特征在于，还包括：

选择沟道插塞，位于所述选择沟道结构的远离所述存储沟道结构的端部，并与所述导电层相接触，其中，在垂直于所述选择叠层结构和所述存储叠层结构的堆叠方向上，所述选择沟道插塞的尺寸大于所述选择沟道结构的尺寸。

5.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，相邻的所述顶部选择栅切口结构之间具有多个选择沟道结构行，其中位于相邻的所述顶部选择栅切口结构之间的所述偏置选择沟道结构行的数量少于或等于所述多个选择沟道结构行的数量。

6.根据权利要求5所述的三维存储器，其特征在于，

位于相邻的所述顶部选择栅切口结构之间的所述偏置选择沟道结构行中，所述选择沟道结构的轴线与相邻的所述顶部选择栅切口结构中的一个的距离大于所述选择沟道结构连接的存储沟道结构的轴线与该顶部选择栅切口结构的距离的偏置选择沟道结构行的数量，等于所述选择沟道结构的轴线与相邻的所述顶部选择栅切口结构中的另一个的距离大于所述选择沟道结构连接的存储沟道结构的轴线与该顶部选择栅切口结构的距离的偏置选择沟道结构行的数量。

7.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述顶部选择栅切口结构在垂直于所述选择叠层结构和所述存储叠层结构的堆叠方向上的截面形状包括波浪形。

8.三维存储器，其特征在于，包括：

存储叠层结构；

多个存储沟道结构，贯穿所述存储叠层结构；

选择叠层结构，位于所述存储叠层结构上；

顶部选择栅切口结构，贯穿所述选择叠层结构；以及

多个选择沟道结构，贯穿所述选择叠层结构并与多个所述存储沟道结构分别连接，其中，多个所述选择沟道结构沿着所述顶部选择栅切口结构的延伸方向成行布置，所述顶部选择栅切口结构在相邻的选择沟道结构行之间延伸；

所述顶部选择栅切口结构每侧具有至少一个偏置选择沟道结构行，其中，所述偏置选择沟道结构行中的选择沟道结构相对于与其连接的存储沟道结构向远离所述顶部选择栅切口结构的方向偏轴设置。

9.根据权利要求8所述的三维存储器，其特征在于，所述选择沟道结构的最大关键尺寸小于所述存储沟道结构的最大关键尺寸。

10.根据权利要求8所述的三维存储器，其特征在于，所述选择沟道结构包括：电介质芯部以及依次围绕所述电介质芯部的导电层和绝缘层，其中，所述导电层与所述存储沟道结构相接触。