[发明专利]基底处理设备

权利要求书

1.一种基底处理设备，所述基底处理设备包括：

光致抗蚀剂涂覆器，被构造为在基底上敷设光致抗蚀剂膜；

加湿器，被构造为增大所述基底上的所述光致抗蚀剂膜暴露到的环境中的湿气的量；以及

曝光器，被构造为用光照射暴露于具有增大的量的湿气的所述环境的所述光致抗蚀剂膜，

其中，所述加湿器设置在所述光致抗蚀剂涂覆器与所述曝光器之间。

2.根据权利要求1所述的基底处理设备，

其中，所述曝光器包括极紫外源，所述极紫外源将极紫外光照射到所述基底上的所述光致抗蚀剂膜。

3.根据权利要求1所述的基底处理设备，所述基底处理设备还包括：

基底储料器，设置在所述光致抗蚀剂涂覆器与所述曝光器之间，并且被构造为存储具有所述光致抗蚀剂膜的所述基底，

其中，所述加湿器设置在所述基底储料器中。

4.根据权利要求3所述的基底处理设备，

其中，所述基底储料器包括：

第一缓冲塔，临时存储从所述光致抗蚀剂涂覆器提供的所述基底，以及

第二缓冲塔，临时存储从所述曝光器提供的被曝光的基底，并且

其中，所述加湿器设置在所述第一缓冲塔与所述第二缓冲塔之间。

5.根据权利要求3所述的基底处理设备，

其中，所述基底储料器包括：

第一缓冲腔室，临时存储从所述光致抗蚀剂涂覆器提供的所述基底，以及

第二缓冲腔室，临时存储从所述曝光器提供的所述被曝光的基底，并且

其中，所述加湿器与所述第一缓冲腔室彼此竖直地堆叠。

6.根据权利要求1所述的基底处理设备，所述基底处理设备还包括：

除湿器，被构造为减少从所述曝光器提供的被曝光的基底暴露到的环境中的湿气的量。

7.根据权利要求6所述的基底处理设备，所述基底处理设备还包括：

基底储料器，设置在所述光致抗蚀剂涂覆器与所述曝光器之间，

其中，所述基底储料器包括：

第一缓冲腔室，临时存储从所述光致抗蚀剂涂覆器提供的所述基底，以及

第二缓冲腔室，临时存储从所述曝光器提供的所述被曝光的基底，以及

其中，所述除湿器与所述第二缓冲腔室彼此堆叠。

8.根据权利要求6所述的基底处理设备，所述基底处理设备还包括：

多个烘烤腔室，面对所述光致抗蚀剂涂覆器，并且被构造为烘烤从所述光致抗蚀剂涂覆器提供的所述基底，

其中，所述除湿器与所述多个烘烤腔室堆叠。

9.根据权利要求6所述的基底处理设备，所述基底处理设备还包括：

烘烤单元，面对所述光致抗蚀剂涂覆器；以及

传送单元，被构造为在所述光致抗蚀剂涂覆器、所述烘烤单元和所述曝光器之间传送所述基底，

其中，所述除湿器设置在所述传送单元中。

10.根据权利要求1所述的基底处理设备，所述基底处理设备还包括：

多个烘烤腔室，面对所述光致抗蚀剂涂覆器，并且被构造为烘烤从所述光致抗蚀剂涂覆器提供的所述基底，

其中，所述加湿器与所述多个烘烤腔室堆叠，并且

其中，所述加湿器包括板，所述板被构造为在所述加湿器内加热具有所述光致抗蚀剂膜的所述基底。