[发明专利]基底处理设备

说明书

提供了一种基底处理设备，所述基底处理设备包括：光致抗蚀剂涂覆器，在基底上敷设光致抗蚀剂膜；加湿器，增大基底上的光致抗蚀剂膜暴露到的环境中的湿气的量；以及曝光器，用光照射暴露于具有增大的量的湿气的环境中的光致抗蚀剂膜。加湿器设置在光致抗蚀剂涂覆器与曝光器之间。

技术领域

本公开涉及基底处理设备和使用该基底处理设备制造半导体装置的方法。

背景技术

随着半导体存储器装置、半导体逻辑装置等越来越高度集成，构成每个装置的各种图案的尺寸进一步小型化。与半导体装置图案的这种小型化趋势相反，半导体晶圆的尺寸在生产率提高方面逐渐增大。由于尽管图案小型化，但是诸如半导体晶圆和光掩模的基底的尺寸变得更大，因此在基底的整个位置上均匀地形成和管理在放大的半导体晶圆或光掩模内重复形成的器件图案的临界尺寸(CD)的重要性逐渐增大。

为了形成均匀且精细的图案，需要严格管理基底的湿度。例如，由于金属光致抗蚀剂与湿气结合以容易使光致抗蚀剂变性，因此需要严格的湿度管理。

发明内容

本公开的方面提供了一种具有改善的基底管理性能的基底处理设备。

本公开的方面还提供了一种使用具有改善的基底管理性能的基底处理设备来制造半导体装置的方法。

根据本发明构思的一些方面，一种基底处理设备包括：光致抗蚀剂涂覆器，在基底上敷设光致抗蚀剂膜；加湿器，增大基底上的光致抗蚀剂膜暴露到的环境中的湿气的量；以及曝光器，用光照射暴露于具有增大的量的湿气的环境的光致抗蚀剂膜。加湿器设置在光致抗蚀剂涂覆器与曝光器之间。

根据本发明构思的一些方面，一种基底处理设备包括：光致抗蚀剂涂覆器，在基底上敷设金属光致抗蚀剂膜；曝光器，用光照射金属光致抗蚀剂膜；光致抗蚀剂显影单元，使基底上的被照射的金属光致抗蚀剂膜显影；烘烤单元，烘烤具有被显影了的光致抗蚀剂膜的基底；以及除湿器，减少被烘烤了的基底暴露到的环境中的湿气的量。除湿器在空间上与光致抗蚀剂涂覆器、曝光器、光致抗蚀剂显影单元和烘烤单元分离。

根据本发明构思的一些方面，一种基底处理设备包括：光致抗蚀剂涂覆器，在基底上敷设光致抗蚀剂膜；曝光器，用极紫外(EUV)光照射光致抗蚀剂膜；光致抗蚀剂显影单元，使基底上的通过曝光器而曝光的光致抗蚀剂膜显影；烘烤单元，烘烤具有显影了的光致抗蚀剂膜的基底；加湿器，增大基底暴露到的环境中的湿气的量；以及除湿器，减少基底暴露到的环境中的湿气的量。烘烤单元包括多个烘烤腔室，多个烘烤腔室面对光致抗蚀剂涂覆器并且烘烤基底。加湿器与多个烘烤腔室堆叠。除湿器设置在光致抗蚀剂涂覆器与曝光器之间。

根据本发明构思的一些方面，一种制造半导体装置的方法包括：将基底装载到基底处理设备中；在基底上敷设金属光致抗蚀剂膜；将光照射到基底上的金属光致抗蚀剂膜；在将光照射到具有金属光致抗蚀剂膜的基底之前，在加湿器中增大具有金属光致抗蚀剂膜的基底暴露到的环境中的湿气的量；以及在将光照射到具有金属光致抗蚀剂膜的基底之后，在除湿器中减少具有被照射的光致抗蚀剂膜的基底暴露到的环境中的湿气的量。

应注意的是，本公开的目的不限于上述目的，并且根据下面的描述，本公开的其它目的对于本领域技术人员而言将是明显的。

附图说明

通过参照附图详细描述本公开的示例性实施例，本公开的以上和其它方面和特征将变得更加明显，在附图中：

图1是示出根据本公开的一些实施例的基底处理设备的视图。

图2是示出图1的基底处理设备的平面图。

图3是示出图1的基底处理设备的侧视图。

图4是示出根据本公开的一些实施例的第一湿度控制单元的视图。

图5是示出图4的穿孔板和基底的平面图。