[发明专利]具有用于电感耦合的线圈的半导体管芯和器件

权利要求书

1.一种半导体管芯，包括：

电路，包括在半导体衬底的正面处的晶体管，

背面电感器，在所述半导体衬底的背面处，其中，所述背面电感器电连接到所述电路的所述晶体管。

2.根据权利要求1所述的半导体管芯，其中，

所述背面电感器电连接到半导体衬底的所述正面处的导线。

3.根据权利要求1所述的半导体管芯，其中，

所述导线垂直地布置在晶体管的栅极和所述半导体衬底之间。

4.根据权利要求2所述的半导体管芯，其中，

所述导线延伸到所述半导体衬底中。

5.根据权利要求2所述的半导体管芯，其中，

所述导线是电源线或电连接到电源线。

6.根据权利要求1所述的半导体管芯，其中，

所述背面电感器的材料是铜或铝中的至少一种的90％或更多。

7.根据任何前述权利要求所述的半导体管芯，还包括：

将所述背面电感器导电地连接到所述导线的穿半导体过孔。

8.根据权利要求1-6中任一项所述的半导体管芯，其中，

所述晶体管是鳍式场效应晶体管、纳米线晶体管、带状晶体管或全环栅晶体管。

9.根据权利要求1-6中任一项所述的半导体管芯，其中，

所述背面电感器被配置为是振荡器电路的部分。

10.根据权利要求1-6中任一项所述的半导体管芯，其中，

所述背面电感器被配置为是滤波器电路的部分。

11.根据权利要求1-6中任一项所述的半导体管芯，其中，

所述导线包括铜、铝、钌或钨中的至少一种的导电材料。

12.根据权利要求1-6中任一项所述的半导体管芯，其中，

所述电路包括掩埋式电力轨，所述掩埋式电力轨包括钨或钌中的至少一种。

13.根据权利要求1-6中任一项所述的半导体管芯，其中，

所述背面电感器包括多个绕组，每个绕组在所述背面处的相应平面中。

14.根据权利要求13所述的半导体管芯，其中，

所述电感器被配置为将电力传输到所述电路或所述导线中的至少一个，或者

所述电感器被配置为将信号传输到所述电路或所述导线中的至少一个。

15.根据权利要求14所述的半导体管芯，其中，

每个绕组包括至少一匝。

16.根据权利要求2-6中任一项所述的半导体管芯，还包括：

将所述电感器电连接到所述导线的穿半导体过孔。

17.根据权利要求2-6中任一项所述的半导体管芯，其中，

所述导线电连接到所述晶体管处的多个源极或多个漏极以向所述晶体管提供电力。

18.一种形成半导体管芯的方法，包括：

在半导体衬底的正面处形成晶体管，

形成包括所述晶体管的电路，以及

在所述半导体衬底的背面处形成背面电感器，其中，所述背面电感器电连接到所述电路的所述晶体管。

19.根据权利要求18所述的方法，还包括：

形成导线，使得所述背面电感器在形成时电连接到所述晶体管。

20.根据权利要求18或19所述的方法，还包括：

形成用于将所述背面电感器导电地连接到所述导线的穿半导体过孔。