[发明专利]具有用于电感耦合的线圈的半导体管芯和器件在审
申请号: | 202211017340.6 | 申请日: | 2022-08-23 |
公开(公告)号: | CN115863318A | 公开(公告)日: | 2023-03-28 |
发明(设计)人: | M·奥斯特迈尔;W·卢茨;J·阿森马赫尔;G·塞德曼 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L23/64 | 分类号: | H01L23/64;H01L27/06;H10N97/00;H01L21/822 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 邬少俊 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 用于 电感 耦合 线圈 半导体 管芯 器件 | ||
公开了一种半导体管芯,包括:电路,包括在半导体衬底的正面处的晶体管;以及背面电感器,在半导体衬底的背面处。背面电感器电连接到电路的晶体管。
技术领域
示例涉及具有晶体管的半导体管芯和器件。
背景技术
半导体器件具有许多应用。电力和信号线可以耦合到半导体管芯的晶体管,并且可以形成工作器件的部分。当形成至晶体管的电力和/或信号连接时,可能出现若干挑战。
附图说明
下面将仅通过示例的方式并参考附图来描述装置和/或方法的一些示例,其中
图1示出了半导体管芯;
图2示出了半导体管芯;
图3示出了半导体管芯;
图4A示出了操作半导体器件的方法;
图4B示出了形成半导体管芯的方法;
图5是电子器件的框图;
图6是示例电子装置的框图;以及
图7示出了计算设备。
具体实施方式
现在参考附图更详细地描述一些示例。然而,其他可能的示例不限于详细描述的这些实施例的特征。其他示例可以包括特征的修改以及特征的等同方案和替代方案。此外,本文中用于描述某些示例的术语不应限制其他可能的示例。
在附图的整个描述中,相同或相似的附图标记表示相同或相似的元件和/或特征,其可以是相同的或以修改的形式实现,同时提供相同或相似的功能。为了清楚起见,图中的线、层和/或区域的厚度也可能被夸大。
当使用“或”组合两个元件A和B时,这应理解为公开了所有可能的组合,即仅A、仅B以及A和B,除非在个别情况下另外明确地定义。作为相同组合的替代措词,可以使用“A和B中的至少一个”或“A和/或B”。这同样适用于两个以上的元件的组合。
如果使用诸如“一”、“一个”和“该”的单数形式,并且仅单个元件的使用未被明确地或隐含地定义为强制的,则其他的示例也可以使用若干元件来实现相同的功能。如果下面将功能描述为使用多个元件来实现,则其他的示例可以使用单个元件或单个处理实体来实现相同的功能。还应当理解,术语“包括”和/或“包含”在使用时描述了指定特征、整数、步骤、操作、过程、元件、部件和/或其群组的存在,但是不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、过程、元件、部件和/或其群组的存在或添加。
除非另有说明,否则使用序数形容词“第一”、“第二”和“第三”等来描述共同对象仅指示正在引用类似对象的不同实例,且不旨在暗示如此描述的对象必须在时间上、空间上、排序上或以任何其他方式处于给定序列中。
在本文中,词尾的“(s)”表示一个或多个;例如,“晶体管(transistor(s))”可以是一个或多个晶体管。
在本文中,半导体衬底可以由包括例如n型或p型材料系统(或两者的组合)的材料制成。衬底可以包括例如使用体硅或绝缘体上硅(SOI)子结构形成的晶体衬底。在一些实施例中,可以使用替代材料形成衬底,所述替代材料可以与硅组合或可以不与硅组合,所述替代材料包括但不限于锗、锑化铟、碲化铅、砷化铟、磷化铟、砷化镓或锑化镓。分类为II-VI族、III-V族或IV族的其他材料也可以用于形成衬底。
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