[发明专利]具有单层边缘接触的晶体管结构

权利要求书

1.‎一种晶体管结构，包括：‎

栅极金属；‎

在所述栅极金属的一侧上的栅极氧化物；‎以及

在所述栅极氧化物上的单层，所述单层具有第一侧和与所述‎第一侧相对的第二侧，其中，所述单层的在所述单层的所述第一侧与所述第二侧之间的边缘‎的第一部分与第一接触金属的表面耦合，并且其中，所述单层的在所述单层的所述第一侧与所述第二侧之间的所述边缘‎的第二部分与‎第二接触金属的表面耦合。

2.‎根据权利要求1所述的晶体管结构，其中，所述单层包括以下中的选择的一个或多个：‎硫（S）、硒（Se）、碲（Te）、钨（W）和钼（Mo）。

3.‎根据权利要求1所述的晶体管结构，其中，所述单层具有3.3埃（Å）的厚度。

4.‎根据权利要求1所述的晶体管结构，其中，所述第一接触金属或所述第二‎接触金属的表面基本上垂直于所述单层的所述第一侧或所述第二侧。

5.‎根据权利要求1所述的晶体管结构，其中，沿着所述单层‎的所述第一侧在所述第一接触金属的表面和所述第二接触金属的表面之间的距离小于或‎等于15nm。

6.根据权利要求1所述的晶体管结构，其中，所述单层进一步包括形成单层堆叠的多个单层‎。

7.‎根据权利要求6所述的晶体管结构，其中，所述多个单层彼此直接物理耦合‎。

8.‎根据权利要求1、2、3、4、5、6或7所述的晶体管结构，其中，所述栅极金属是第一栅极金属，并且所述‎单层是第一单层；并且所述晶体管结构进一步包括：‎

在所述第一栅极金属下方的堆叠中的多个其它栅极金属，其中，栅极氧化物层在所述其它栅极金属中的每一个上方和下方‎；‎

多个其它单层，每个其它单层分别在所述多个‎其它栅极金属中的每一个上方并且在所述栅极氧化物层内；以及

其中，每个所述其它单层的在所述单层的第一侧和‎第二侧之间的边缘的第一部分与所述第一接触金属的表面耦合，并且其中，每个所述单层的所述边缘的第二部分‎与所述第二接触金属的表面耦合。

9.‎根据权利要求8所述的晶体管结构，其中，第一单层和所述‎其它单层中的一个之间的距离在6nm至10nm的范围内。

10.‎根据权利要求8所述的晶体管结构，其中，所述多个单层中的每一个进一步包括‎多个单层。

11.‎根据权利要求8所述的晶体管结构，其中，所述多个其它栅极金属的数量是六‎或更多。

12.‎一种方法，包括：‎

在衬底上施加第一氧化物层；‎

在所述氧化物层上形成第一栅极金属；‎

在所述第一栅极金属的顶部上形成另一氧化物层；以及

在所述另一氧化物层上形成单层。

13.‎根据权利要求12所述的方法，其中，所述单层具有第一侧和与所述第一侧‎相对的第二侧；并且其中，在所述氧化物层上形成单层进一步包括：‎

将所述单层的在所述第一侧与‎所述第二侧之间的边缘的第一部分与第一接触金属的表面物理耦合；以及

将所述单层的所述边缘的第二部分与‎第二接触金属的表面物理耦合。

14.‎根据权利要求12所述的方法，其中，沿着所述单层的第一侧在所述第一接触金属的‎表面与所述第二接触金属的表面之间的距离小于或等于15nm。

15.根据权利要求12所述的方法，其中，在所述氧化物层上形成单层进一步包括‎在所述氧化物层上形成多个单层，其中，所述单层堆叠在彼此上。