[发明专利]具有单层边缘接触的晶体管结构

说明书

本公开涉及具有单层边缘接触的晶体管结构。在本文中描述的实施例可以和与晶体管结构有关的装置、工艺和技术有关，所述晶体管结构包括在栅极金属上的氧化物材料内的单层。可以存在这些结构的堆叠。在实施例中，可以包括半导体材料的单层可以包括堆叠在彼此的顶部上的多个单层片。可以描述和/或要求保护其它实施例。

技术领域

本公开的实施例通常涉及半导体封装的领域，并且特别地涉及晶体管结构中的栅极。

背景技术

在虚拟机、云计算和便携式设备中的持续增长将持续增加对在芯片和封装内的高密度晶体管的需求。

附图说明

图1示出根据各种实施例的具有单层边缘接触的晶体管结构的透视图。

图2示出根据各种实施例的单层。

图3示出根据各种实施例的具有多个单层的晶体管结构的剖面侧视图。

图4A-4AD示出根据各种实施例的具有单层边缘接触的晶体管结构的各种制造阶段。

图5示出根据各种实施例的用于制造具有单层边缘接触的晶体管结构的示例性工艺。

图6示出根据本发明的一个实施方式的计算设备600。

图7示出包括本发明的一个或多个实施例的中介层700。

具体实施方式

在本文中描述的实施例可以与涉及晶体管结构的装置、工艺和技术有关，所述晶体管结构包括栅极金属上的氧化物材料内的单层。单层可以称为单层片、二维（2D）通道、过渡金属二硫属化物（TMD）材料、纳米片或纳米带。在实施例中，单层包括半导体材料。在实施例中，单层可以包括堆叠在彼此顶部上的多个单层片，例如，堆叠在彼此顶部上的三个单层片。在实施例中，可以存在任意深度的单层/氧化材料/栅极金属结构的堆叠。在实施例中，单层的边缘可以与一个或多个接触金属的表面耦合。

在传统的实施方式中，栅极长度可以是大约15nm。为了缩小该栅极长度距离，需要减小硅厚度。然而并且这些传统的实施方式，太薄的硅厚度可能导致迁移率降低并导致有缺陷的晶体管。

在实施例中，通过在栅极结构内使用一个或多个单层，层之间的距离可以减小到6nm或更小，这还可以允许栅极结构内的单层数量的增加。

在以下详细描述中，对形成所述详细描述的一部分的附图进行参考，其中，同样的数字自始自终指定同样的部分，并且在附图中作为说明示出了其中可以实践本公开的主题的实施例。要理解，在不脱离本公开的范围的情况下可以利用其它实施例并且可以进行结构或逻辑改变。因此，以下详细描述不要以限制性意义来理解，并且实施例的范围由所附权利要求及其等效物来限定。

为了本公开的目的，短语“A和/或B”意味着（A）、（B）或（A和B）。为了本公开的目的，短语“A、B和/或C”意味着（A）、（B）、（C）、（A和B）、（A和C）、（B和C）或（A、B和C）。

本描述可以使用基于透视的描述，诸如顶/底、内/外、上/下等。这样的描述仅用于促进讨论并且不旨在将在本文中描述的实施例的应用限制于任何特定取向。

本描述可以使用短语“在一个实施例中”或“在实施例中”，这可以每个指代相同或不同实施例中的一个或多个。此外，如关于本公开的实施例所使用的术语“包括”、“包含”、“具有”等是同义的。

术语“与……耦合”及其派生词可以在本文中被使用。“耦合”可以意味着以下中的一个或多个。“耦合”可以意味着两个或更多元件直接物理或电接触。然而，“耦合”也可以意味着两个或更多元件彼此间接接触，但是还仍然彼此协作或交互，并且可以意味着一个或多个其它元件耦合或连接在被说成彼此耦合的元件之间。术语“直接耦合”可以意味着两个或更多元件直接接触。