[发明专利]修复小芯片和性能小芯片在审

专利信息
申请号: 202211017884.2 申请日: 2022-08-24
公开(公告)号: CN115863330A 公开(公告)日: 2023-03-28
发明(设计)人: G·帕斯达斯特;S·N·蒂亚戈劳伊;A·A·埃尔谢尔比尼 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L25/18 分类号: H01L25/18
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 邬少俊
地址: 美国加*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 修复 芯片 性能
【权利要求书】:

1.一种管芯模块,包括:

基础管芯,其中,所述基础管芯包括功能块;以及

在靠近所述功能块处耦合至所述基础管芯的小芯片,其中,所述小芯片包括与所述功能块类似的功能。

2.根据权利要求1所述的管芯模块,其中,所述功能块与所述基础管芯的电路系统隔离,并且所述小芯片替换所述功能块。

3.根据权利要求1或2所述的管芯模块,其中,所述功能块是处理器核心。

4.根据权利要求1或2所述的管芯模块,其中,所述功能块是IO块。

5.根据权利要求1或2所述的管芯模块,其中,所述功能块是存储器块。

6.根据权利要求1或2所述的管芯模块,其中,所述小芯片采用混合接合架构耦合至所述基础管芯。

7.根据权利要求6所述的管芯模块,其中,所述混合接合架构中的互连具有大约10μm或更小的间距。

8.根据权利要求1或2所述的管芯模块,其中,所述基础管芯具有背面表面和正面表面,其中,第一级互连(FLI)位于所述基础管芯的所述正面表面上。

9.根据权利要求8所述的管芯模块,其中,所述小芯片耦合至所述基础管芯的所述背面表面。

10.根据权利要求9所述的管芯模块,其中,所述基础管芯包括穿硅过孔,以连接至所述小芯片。

11.根据权利要求8所述的管芯模块,其中,所述小芯片耦合至所述基础管芯的所述正面表面。

12.根据权利要求11所述的管芯模块,其中,所述小芯片包括穿硅过孔,以连接至所述基础管芯。

13.根据权利要求1或2所述的管芯模块,还包括:

与所述小芯片相邻的虚设管芯,其中,所述虚设管芯具有基本上与所述小芯片的背离所述基础管芯的表面共平面的表面。

14.根据权利要求13所述的管芯模块,其中,所述虚设管芯通过混合接合或粘合剂耦合至所述基础管芯。

15.一种电子封装,包括:

封装衬底;以及

耦合至所述封装衬底的管芯模块,其中,所述管芯模块包括:

具有第一表面和第二表面的基础管芯,其中,所述第一表面面向所述封装衬底,并且其中,所述基础管芯包括多个功能块;以及

耦合至所述基础管芯的小芯片,其中,所述小芯片替换所述多个功能块中的一个功能块的功能。

16.根据权利要求15所述的电子封装,其中,被替换的所述功能块是处理器核心。

17.根据权利要求15所述的电子封装,其中,被替换的所述功能块是IO块。

18.根据权利要求15、16或17所述的电子封装,其中,所述小芯片位于所述基础管芯的所述第一表面之上。

19.根据权利要求15、16或17所述的电子封装,其中,所述小芯片位于所述基础管芯的所述第二表面之上。

20.根据权利要求15、16或17所述的电子封装,还包括:

与所述小芯片相邻的虚设管芯,其中,所述虚设管芯是没有有效的电路系统的硅衬底。

21.根据权利要求15、16或17所述的电子封装,其中,所述小芯片通过混合接合耦合至所述基础管芯。

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