[发明专利]修复小芯片和性能小芯片

说明书

本文公开的实施例包括管芯模块和电子封装。在实施例中，一种管芯模块包括基础管芯，其中，基础管芯包括功能块。在实施例中，管芯模块进一步包括在靠近功能块处耦合至基础管芯的小芯片。在实施例中，小芯片包括与功能块类似的功能。

技术领域

本公开的实施例涉及电子封装，并且更具体地涉及具有修复小芯片或性能增强小芯片的电子封装。

背景技术

在现有的单片式片上系统(SOC)和粗粒度非集计SOC上，性能受到跨越管芯的工艺变化梯度的限制。例如，核心阵列中的最慢的处理器核心将决定该SOC的速度等级。现有的处理器还包括位于核心阵列内的备用核心，以达到产率恢复的目的。在测试时，识别出有缺陷的部件并且用备用件替换。例如，有缺陷的处理单元将被禁用，并且启用在该处已存在的备用件。对额外的备用核心的需求增大了SOC的占据区域，其又转化为更高的硅成本。而且，由于更大的管芯会需要更长的传输距离，因而还会生成更高的时延。此外，对于一些功能块而言，替换并不是那么简单的。例如，就IO通道而言，替换通常需要不同的封装设计变型以容纳替换通道。

还可以通过使用提高的电压来适应一些性能限制。提高用于功能块的电压能够补偿缓慢工艺梯度。然而，提高电压以增大的功耗为代价，这是不合乎需求的。最终，在产生缓慢功能块时，可能导致SOC被降级用到利润较低的装置中。

附图说明

图1A是根据实施例的具有管芯模块的电子封装的截面图，该管芯模块包括位于基础管芯之上的替换小芯片。

图1B是根据实施例的位于替换小芯片和基础管芯之间的混合接合界面的截面图。

图2是根据实施例的具有管芯模块的电子封装的截面图，该管芯模块包括位于基础管芯之上的替换小芯片和虚设管芯。

图3是根据实施例的具有管芯模块的电子封装的截面图，该管芯模块包括位于基础管芯和封装衬底之间的替换小芯片。

图4是根据实施例的具有管芯模块的电子封装的截面图，该管芯模块包括位于基础管芯和封装衬底之间的替换小芯片和虚设管芯。

图5是根据实施例的具有管芯模块的电子封装的截面图，该管芯模块包括位于基础管芯上的第一替换小芯片和位于基础管芯下方的第二替换小芯片。

图6是根据实施例的能够用于在有缺陷的功能块和替换小芯片之间进行切换的切换电路系统的示意图。

图7是根据实施例的包括基础管芯上的用于不同功能块的替换小芯片的管芯模块的截面图。

图8是根据实施例的具有管芯模块的电子系统的截面图，该管芯模块包括基础管芯和替换小芯片。

图9是根据实施例构建的计算装置的示意图。

具体实施方式

本文描述了根据各种实施例的具有修复小芯片和性能增强小芯片的电子封装。在下文的描述中，将使用本领域技术人员常用的术语描述例示性实施方式的各个方面，从而将其工作的实质传达给本领域其他技术人员。但是，对于本领域技术人员将显而易见的是，可以只借助于所描述的方面中的一些方面来实践本发明。出于解释的目的，阐述了具体的数字、材料和构造，从而提供对例示性实施方式的透彻理解。但是，对本领域技术人员将显而易见的是，可以在无需这些具体细节的情况下实践本发明。在其他情况下，省略或简化了已知的特征，以免不必要地使这些例示性实施方式难以理解。

将按照对理解本发明最有帮助的方式将各项操作依次描述为多个分立的操作，但是不应将描述的顺序理解为暗示这些操作必然是顺序相关的。具体而言，不必按照所给出的顺序执行这些操作。