[发明专利]拓扑裂纹停止（TCS）钝化层

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

一个或多个第一级互连(FLI)，嵌入在衬底之上的底部填充物(UF)中；

蚀刻停止层，在所述FLI之上；

钝化层，在所述蚀刻停止层之上；

穿过所述钝化层的多个过孔；

多个触点，在所述钝化层上与所述多个过孔接触以与所述FLI连接；以及

多个拓扑裂纹停止(TCS)特征，形成在所述钝化层中和所述蚀刻停止层的顶表面上。

2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，在所述FLI的间距和位置与所述TCS特征的间距和位置之间存在相关性。

3.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，其中，所述TCS特征具有正方形、矩形、圆顶形、锯齿形、凹陷圆顶形、沟槽形、或它们的组合的形状。

4.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，其中，所述TCS特征的至少一部分在所述多个过孔的相邻组之间间隔开。

5.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，其中，所述TCS特征的至少一部分位于与所述多个过孔中的过孔相邻之处，并且位于所述多个触点中的对应触点的正下方。

6.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，其中，所述钝化层包括氮化物，并且所述TCS特征包括氧化物。

7.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，其中，所述TCS特征中的至少一个包含金属绝缘体金属(MIM)。

8.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，其中，所述TCS特征的至少一部分包括围绕所述多个过孔中的一个或多个的底部的电感器元件，并且其中，所述TCS特征的至少一部分的直径大于位于所述多个过孔中的至少一个之上的对应触点的直径。

9.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，其中，所述TCS特征的至少一部分被用作管芯内对准特征。

10.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，其中，所述TCS特征的至少一部分被用作底部填充物粘附促进剂。

11.一种计算设备，包括：

板；以及

耦接到所述板的部件，所述部件包括集成电路结构，所述集成电路结构包括：

一个或多个第一级互连(FLI)，嵌入在衬底之上的底部填充物(UF)中；

蚀刻停止层，在所述FLI之上；

钝化层，在所述蚀刻停止层之上；

穿过所述钝化层的多个过孔；

多个触点，在所述钝化层上与所述多个过孔接触以与所述FLI连接；以及

多个拓扑裂纹停止(TCS)特征，形成在所述钝化层中和所述蚀刻停止层的顶表面上。

12.根据权利要求11所述的计算设备，还包括：

存储器，耦接到所述板，以及

通信芯片，耦接到所述板。

13.根据权利要求11或12所述的计算设备，还包括：

电池，耦接到所述板。

14.根据权利要求11或12所述的计算设备，其中，所述部件是封装的集成电路管芯。

15.一种集成电路结构，包括：

一个或多个第一级互连(FLI)，嵌入在衬底之上的底部填充物(UF)中；

钝化层，在所述FLI之上；

穿过所述钝化层的多个过孔；

多个触点，在所述钝化层上与所述多个过孔接触以与所述FLI连接；以及

多个拓扑裂纹停止(TCS)特征，形成在所述钝化层中和所述蚀刻停止层的顶表面上以阻止管芯钝化裂纹。