[发明专利]拓扑裂纹停止（TCS）钝化层

说明书

一种集成电路结构，包括嵌入在衬底之上的底部填充物(UF)中的一个或多个第一级互连(FLI)。蚀刻停止层在FLI之上。钝化层在蚀刻停止层之上，并且多个过孔穿过钝化层。多个触点在钝化层上与过孔接触以与FLI连接。在钝化层中和蚀刻停止层的顶表面上形成多个拓扑裂纹停止(TCS)特征。

技术领域

本公开内容的实施例属于半导体封装领域，且具体而言，属于用于集成电路的拓扑裂纹停止(topological crack stop，TCS)钝化层的方法和系统。

背景技术

过去几十年来，集成电路中特征的缩放已是日益增长的半导体工业背后的驱动力。到越来越小的特征的缩放实现了功能单元在半导体芯片的有限基板面上增大的密度。例如，收缩晶体管尺寸允许在芯片上包含增大数量的存储器或逻辑设备，从而导致制造出具有增大的容量的产品。但对于越来越大容量的驱动并非没有问题。优化每一个设备的性能的必要性变得日益显著。

传统和现有技术制造过程的可变性可能限制将它们进一步扩展到亚10nm范围的可能性。因此，未来技术节点所需的功能部件的制造可能需要在当前制造过程中或代替当前制造过程引入新的方法论或新技术的集成。

附图说明

图1是适于并入先进驾驶辅助系统(ADAS)管芯中的集成电路(IC)结构的截面图以及IC中的故障原因。

图2A是根据所公开的实施例的具有拓扑裂纹停止(TCS)钝化层的集成电路(IC)结构的截面图。

图2B和图2C是集成电路(IC)结构的截面扫描电子显微镜(SEM)图，其进一步示出了根据所公开的实施例的拓扑裂纹停止特征。

图3A-3G是示出拓扑裂纹停止特征的各种实施例的视图。

图4A-4E示出了具有TCS特征的IC的制造过程的截面图。

图5是根据本文公开的一个或多个实施例的可以包括具有拓扑裂纹停止特征的一个或多个晶体管的集成电路(IC)设备组件的截面侧视图。

图6示出了根据本公开内容的一个实施方式的计算设备。

具体实施方式

描述了用于集成电路的拓扑裂纹停止(TCS)钝化层。在以下描述中，阐述了许多具体细节，例如具体材料和加工方式(tooling regime)，以便提供对本公开内容的实施例的透彻理解。对于本领域技术人员来说显而易见的是，可以在没有这些具体细节的情况下实践本公开内容的实施例。在其他情况下，没有详细描述诸如单镶嵌或双镶嵌处理的公知特征，以免不必要地使本公开内容的实施例难以理解。此外，应当理解，图中所示的各种实施例是说明性的表示，并且不一定按比例绘制。在一些情况下，将以最有助于理解本公开内容的方式将各种操作依次描述为多个分立的操作，然而，描述的顺序不应被解释为暗示这些操作必须依赖于顺序。特别地，这些操作不需要以所呈现的顺序来执行。

某些术语也可以用于以下描述中，仅用于参考的目的，并因此不旨在限制。例如，诸如“上”、“下”、“上方”、“下方”、“底部”和“顶部”的术语指的是所参考的附图中的方向。诸如“前”、“后”、“背面”和“侧面”的术语描述了部件的部分在一致但任意的参照系内的取向和/或位置，其通过参照描述所讨论的部件的文本和相关联的附图而是清楚的。这样的术语可以包括上面具体提到的词语、其派生词、和类似含义的词语。

本文描述的实施例可以涉及前段制程(FEOL)半导体处理和结构。FEOL是集成电路(IC)制造的第一部分，其中在半导体衬底或层中图案化各个设备(例如，晶体管、电容器、电阻器等)。FEOL通常覆盖直到(但不包括)金属互连层的沉积的所有事物。在最后的FEOL操作之后，结果通常是具有隔离晶体管(例如，没有任何导线)的晶圆。