[发明专利]一种LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202211017967.1 | 申请日： | 2022-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN115440865A | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 洪加添;陈威;何勇 | 申请（专利权）人： | 福建兆元光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214 | 代理人： | 董晗 |
| 地址： | 350109 福建省福州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 及其 制备 方法 | ||
1.一种LED芯片，其特征在于，包括衬底、N型半导体层、量子阱层、P型半导体层、ITO层、绝缘层以及电极；
所述衬底的一面设置有所述N型半导体层，所述N型半导体层远离所述衬底的一面的第一预设区域依次层叠有所述量子阱层、所述P型半导体层；
所述电极包括N电极和P电极，所述P型半导体层上方依次设置有ITO层和P电极；
所述N型半导体层远离所述衬底的一面的第二预设区域设置有所述N电极；
所述N型半导体层远离所述衬底的一面设置有所述绝缘层，且所述绝缘层围绕所述量子阱层和所述P型半导体层以及所述N电极设置。
2.根据权利要求1所述的一种LED芯片，其特征在于，所述绝缘层远离所述N型半导体层的一面与所述P型半导体层远离所述量子阱层的一面齐平。
3.根据权利要求1所述的一种LED芯片，其特征在于，还包括电流阻挡层；
所述ITO层靠近所述P型半导体层的一面内嵌有所述电流阻挡层；
所述电流阻挡层的位置与所述P电极相对应。
4.根据权利要求1所述的一种LED芯片，其特征在于，所述绝缘层的厚度为
5.根据权利要求1所述的一种LED芯片，其特征在于，所述电极的厚度为
6.一种LED芯片制备方法，其特征在于，包括步骤：
在衬底上依次生长N型半导体层、量子阱层和P型半导体层；
刻蚀所述量子阱层和所述P型半导体层，保留第一预设区域的所述量子阱层和所述P型半导体层；
在所述N型半导体层远离所述衬底的一面沉积绝缘层，所述绝缘层围绕所述第一预设区域和第二预设区域设置；
在所述P型半导体层远离所述量子阱层的一面溅射ITO层，并在所述ITO层远离所述P型半导体层的一面蒸镀P电极；
在所述N型半导体层远离所述衬底的一面的所述第二预设区域蒸镀N电极。
7.根据权利要求6所述的一种LED芯片制备方法，其特征在于，在所述N型半导体层远离所述衬底的一面沉积绝缘层之后包括：
使用缓冲氧化物腐蚀所述绝缘层。
8.根据权利要求6所述的一种LED芯片制备方法，其特征在于，在所述N型半导体层远离所述衬底的一面沉积绝缘层还包括：
将所述绝缘层的高度沉积至与所述P型半导体层远离所述量子阱层的一面齐平的位置。
9.根据权利要求6所述的一种LED芯片制备方法，其特征在于，在所述P型半导体层远离所述量子阱层的一面溅射ITO层包括：
在所述P型半导体层远离所述量子阱层的一面的预设位置生长电流阻挡层；
在所述电流阻挡层和所述P型半导体层上方溅射ITO层；
在所述ITO层远离所述P型半导体层的一面蒸镀P电极包括：
在所述ITO层远离所述P型半导体层的一面且与所述电流阻挡层对应的位置上蒸镀P电极。
10.根据权利要求6所述的一种LED芯片制备方法，其特征在于，在所述N型半导体层远离所述衬底的一面沉积绝缘层还包括：沉积厚度为的绝缘层。
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